絕緣材料的介電常數(shù)測試儀廠家,，橡膠塑料的介電常數(shù)測試儀價格

GBT 1409-2006
ZJD-B數(shù)字式介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀

 儀器介紹
     ZJD-B全數(shù)字顯示介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀是根據(jù)GB/T 1409《測量電氣絕緣材料在工頻、音頻,、高頻（包括米波波長在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗方法》（等效采用IEC 60250）設計和制造的,，并符合JB 7770

等試驗方法,。它適用于在高頻（1MHz）下絕緣材料的測試,。
    ZJD-B數(shù)字式介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀讀書清晰,無須換算,操作簡便,特別適合電子元器件的質(zhì)量分析,品質(zhì)控制,科研生產(chǎn),也可用于高校的電子信息,電子通信,材料科學等專業(yè)作科研實驗儀器.
技術參數(shù)
信號源頻率范圍    DDS數(shù)字合成 10KHz-60MHz    Q測量范圍    1-1000自動/手動量程
信號源頻率覆蓋比    6000:1    Q分辨率    4位有效數(shù),分辨率0.1
信號源頻率精度    3X10 -5 ±1個字,6位有效數(shù)    Q測量工作誤差    <5%
電感測量范圍    15nH-8.4H,4位有效數(shù),分辨率0.1nH    調(diào)諧電容    主電容30-500PF
電感測量誤差    <5%    調(diào)諧電容誤差和分辨率    ±1.5P或<1%
標準測量頻點    全波段任意頻率下均可測試    Q合格預置范圍    5-1000聲光提示
諧振點搜索    自動掃描    Q量程切換    自動/手動
諧振指針    LCD顯示    LCD顯示參數(shù)    F,L,C,Q,波段等
 
 絕緣材料的介電常數(shù)測試儀廠家，橡膠塑料的介電常數(shù)測試儀價格

介質(zhì)在外加電場時會產(chǎn)生感應電荷而削弱電場,，在相同的原電場中某一介質(zhì)中的電容率與真空中的電容率的比值即為相對介電常數(shù)(relative permittivity),，又稱相對電容率，以ε_r表示,。如果有高介電常數(shù)的材料放在電場中,，場的強度會在電介質(zhì)內(nèi)有可觀的下降。介電常數(shù)（又稱電容率）,，以ε表示,，ε=εr*ε0，ε0為真空介電常數(shù),，ε0=8.85*10-12,F/m,。需要強調(diào)的是,，一種材料的介電常數(shù)值與測試的頻率密切相關,。

一個電容板中充入介電常數(shù)為ε的物質(zhì)后電容變大ε倍。

介電常數(shù)

電介質(zhì)有使空間比起實際尺寸變得更大或更小的屬性,。例如,，當一個電介質(zhì)材料放在兩個電荷之間,，它會減少作用在它們之間的力，就像它們被移遠了一樣,。

當電磁波穿過電介質(zhì),，波的速度被減小，有更短的波長,。

根據(jù)物質(zhì)的介電常數(shù)可以判別高分子材料的極性大小,。通常，介電常數(shù)大于3.6的物質(zhì)為極性物質(zhì),；介電常數(shù)在2.8~3.6范圍內(nèi)的物質(zhì)為弱極性物質(zhì),；介電常數(shù)小于2.8為非極

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GBT 1409-2006
ZJD-C介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀

儀器介紹
    ZJD-C介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀是根據(jù)GB/T 1409《測量電氣絕緣材料在工頻,、音頻,、高頻（包括米波波長在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗方法》（等效采用IEC 60250）設計和制造的，并符合JB 7770等試驗方法

,。它適用于在高頻（1MHz）下絕緣材料的測試,。
技術參數(shù)
ZJD-C介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀作為一代的通用、多用途,、多量程的阻抗測試儀器,，測試頻率上限達到目前高的160MHz。 ZJD-C介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀采用了多項技術：
1雙掃描技術 - 測試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描,、自動調(diào)諧搜索功能,。
2雙測試要素輸入 - 測試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。
3雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧,，數(shù)碼化電容調(diào)諧,。
4自動化測量技術 -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量,。
5全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容,、電感、 Q 值,、信號源頻率,、諧振指針。
6DDS 數(shù)字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真,，頻率的高精確,、幅度的高穩(wěn)定。
7計算機自動修正技術和測試回路*化 —使測試回路 殘余電感減至zui低,，** Q 讀數(shù)值在不同頻率時要加以修正的困惑,。
ZJD-C介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀的創(chuàng)新設計，無疑為高頻元器件的阻抗測量提供了*的解決方案,，它給從事高頻電子設計的工程師,、科研人員,、高校實驗室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測工具，測量值更為精確,，

測量效率更高,。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點調(diào)諧電容值下檢測器件的品質(zhì),，無須關注量程和換算單位,。
     主要技術特性
Q 值測量范圍    2 ～ 1023 ， 量程分檔： 30 ,、 100 ,、 300 、 1000 ,，自動換檔或手動換檔
固有誤差    ≤ 5 ％ ± 滿度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）,， ≤6％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
工作誤差    ≤7％ ± 滿度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 滿度值的2％（10MHz～160MHz）
電感測量范圍    4.5nH ～ 140mH
電容直接測量范圍    1 ～ 200pF
主電容調(diào)節(jié)范圍    18 ～ 220pF
主電容調(diào)節(jié)準確度    120pF 以下 ± 1.2pF ,； 120pF 以上 ± 1 ％
信號源頻率覆蓋范圍    100kHz ～ 160MHz
頻率分段 （ 虛擬 ）    100 ～ 999.999kHz ,， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz
頻率指示誤差    3 × 10 -5 ± 1 個字

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近十年來,，半導體工業(yè)界對低介電常數(shù)材料的研究日益增多，材料的種類也五花八門,。然而這些低介電常數(shù)材料能夠在集成電路生產(chǎn)工藝中應用的速度卻遠沒有人們想象的那么快,。其主要

低介電常數(shù)薄膜機械性質(zhì)量測結果

原因是許多低介電常數(shù)材料并不能滿足集成電路工藝應用的要求。圖2是不同時期半導體工業(yè)界預計低介電常數(shù)材料在集成電路工藝中應用的前景預測,。

早在1997年,，人們就認為在2003年，集成電路工藝中將使用的絕緣材料的介電常數(shù)（k值）將達到1.5,。然而隨著時間的推移,，這種樂觀的估計被不斷更新。到2003年,，半導體技術規(guī)劃（ITRS 2003[7]）給出低介電常數(shù)材料在集成電路未來幾年的應用,，其介電常數(shù)范圍已經(jīng)變成2.7~3.1。

造成人們的預計與現(xiàn)實如此大差異的原因是,，在集成電路工藝中,，低介電常數(shù)材料必須滿足諸多條件，例如：足夠的機械強度（MECHANICAL strength）以支撐多層連線的架構,、高楊氏系數(shù)（Young's modulus）,、高擊穿電壓（breakdown voltage>4MV/cm)、低漏電(leakage current<10-9 at 1MV/cm)、高熱穩(wěn)定性（thermal stability >450oC),、良好的粘合強度(adhesion strength)、低吸水性（low moisture uptake）,、低薄膜應力（low film stress）,、高平坦化能力（planarization）、低熱漲系數(shù)（coefficient of thermal expansion）以及與化學機械拋光工藝的兼容性（compatibility with CMP process）等等,。能夠滿足上述特性的*的低介電常數(shù)材料并不容易獲得,。例如，薄膜的介電常數(shù)與熱傳導系數(shù)往往就呈反比關系,。因此,，低介電常數(shù)材料本身的特性就直接影響到工藝集成的難易度。

目前在超大規(guī)模集成電路制造商中,，TSMC,、 Motorola、AMD以及NEC等許多公司為了開發(fā)90nm及其以下技術的研究,，先后選用了應用材料公司（Applied Materials）的Black Diamond 作為低介電常數(shù)材料,。該材料采用PE-CVD技術[8] ，與現(xiàn)有集成電路生產(chǎn)工藝*融合,，并且引入BLOk薄膜作為低介電常數(shù)材料與金屬間的隔離層,，很好的解決了上述提及的諸多問題，是目前已經(jīng)用于集成電路商業(yè)化生產(chǎn)為數(shù)不多的低介電常數(shù)材料之一,。

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QS37介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀GB/T1693-2007
1.概  述                                                            
     介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀GB/T1693-2007?主要用于測量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損耗角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線路,。主要可以測量電容器,，互感器，變壓器,，各種電工油及各種固體絕緣材料在工頻高壓下的介質(zhì)損耗( tgd)和電容量( Cx)以,，其測量線路采用“正接法"即測量對地絕緣的試品。電橋由橋體,、指另儀,、跟蹤器組成，本電橋特別適應測量各類絕緣油和絕緣材料的介損（tgd）及介電常數(shù)（ε）,。
2.技術指標
2.1  測量范圍及誤差
    本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,，相對濕度為30％－80％條件下，應滿足下列表中的技術指示要求,。    
在Cn＝100pF    R4＝3183.2    即10K/π時
測量項目    測量范圍    測量誤差
電容量Cx    40pF--20000pF    ±0.5%  Cx±2pF
介質(zhì)損耗tg    0～1    ±1.5％tgx±0.0001
在Cn＝100pF    R4＝318.3    即1K/π時
測量項目    測量范圍    測量誤差
電容量Cx    4pF--2000pF    ±0.5%  Cx±3pF
介質(zhì)損耗tg    0～0.1    ±1.5％tgx±0.0001
2.2  電橋測量靈敏度
    電橋在使用過程中,，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測量準確度，希望電橋靈敏度達到一定的水平,。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓,，標準電容量成正比。
    在下面的計算公式中,，用戶可根據(jù)實際使用情況估算出電橋靈敏度水平,，在這個水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應出來。
          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   式中：Ｕ為測量電壓    伏特（Ｖ）
ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                                     
Ｃｎ標準電容器容量    皮法（pＦ）
Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10    安培（Ａ）
Ｒｇ平衡指另儀內(nèi)阻約1500    歐姆
Ｒ４橋臂R4電阻值3183    歐姆
Ｃｘ被測試品電容值    皮法（ｐF）
2.3 電容量及介損顯示精度：    
電容量    ±0.5%×tgδx±0.0001
介  損    ±0.5％tgx±1×10-4
2.4 輔橋的技術特性：    
工作電壓    ±12V,，50Hz
輸入阻抗    1012
輸出阻抗    0.6
放大倍數(shù)    0.99
不失真跟蹤電壓    0～12V（有效值）
2.5 指另裝置的技術特性：
    工作電壓±12V
    在50Hz時電壓靈敏度不低于1X10-6V／格,， 電流靈敏度不低于2X10-9A／格
    二次諧波  減不小于25db
    三次諧波  減不小于50db

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"介電常數(shù)" 在工具書中的解釋：

1．又稱電容率或相對電容率,，表征電介質(zhì)或絕緣材料電性能的一個重要數(shù)據(jù),，常用ε表示。它是指在同一電容器中用同一物質(zhì)為電介質(zhì)和真空時的電容的比值,，表示電介質(zhì)在電場中貯存靜電能的相對能力,。對于介電材料，介電常數(shù)愈大絕緣性愈好,?？諝夂虲S2的ε值分別為1.0006和2.6左右，而水的ε值特別大,，10℃時為 83.83,，與溫度有關。

2．介電常數(shù)是物質(zhì)相對于真空來說增加電容器電容能力的度量,。介電常數(shù)隨分子偶極矩和可極化性的增大而增大,。在化學中，介電常數(shù)是溶劑的一個重要性質(zhì),，它表征溶劑對溶質(zhì)分子溶劑化以及隔開離子的能力,。介電常數(shù)大的溶劑，有較大隔開離子的能力,，同時也具有較強的溶劑化能力,。介電常數(shù)用ε表示，一些常用溶劑的介電常數(shù)見下表：

"介電常數(shù)" 在學術文獻中的解釋：

1．介電常數(shù)是指物質(zhì)保持電荷的能力,，損耗因數(shù)是指由于物質(zhì)的分散程度使能量損失的大小,。理想的物質(zhì)的兩項參數(shù)值較小

文獻來源

介電常數(shù)與頻率變化的關系

2.其介質(zhì)常數(shù)具有復數(shù)形式，實數(shù)部分稱為介電常數(shù),，虛數(shù)部分稱為損耗因子.通常用損耗正切值(損耗因子與介電常數(shù)之比)來表示材料與微波的耦合能力,，損耗正切值越大，材料與微波的耦合能力就越強

3．介電常數(shù)是指在同一電容器中用某一物質(zhì)為電介質(zhì)與該物質(zhì)在真空中的電容的比值.在高頻線路中信號傳播速度的公式如下：V=K

4.為簡單起見,，后面將相對介電常數(shù)均稱為介電常數(shù).反射脈沖信號的強度,，與界面的波反射系數(shù)和透射波的衰減系數(shù)有關,，主要取決于周圍介質(zhì)與反射體的電導率和介電常