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石磊 (銷售經理)
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介電常數介質損耗測定儀(介電性能測試儀)
產品型號:
參考價:18000元
廠商性質:3
所在地:北京市
發(fā)布時間:2022/4/18 14:32:50
瀏覽次數:6287
參考價:18000元
廠商性質:3
所在地:北京市
發(fā)布時間:2022/4/18 14:32:50
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具體成交價以合同協(xié)議為準
詳細介紹
一,、符合標準:
GB/T1409測量電氣絕緣材料在工頻、音頻,、高頻(包括米波波長存內)下電容率和介質損耗因數的推薦方法;
GB/T 5654-2007液體絕緣材料相對電容率,、介質損耗因數和直流電阻率的測量;
二、產品概述:
ZJD-87介電常數介質損耗測定儀(介電性能測試儀)是一款專為實驗室研制的高精度高壓電橋,,突破了傳統(tǒng)的電橋測量方式,,采用變頻電源技術,利用單片機和現代化電子技術進行自動頻率變換,、模/數轉換和數據運算,;達到抗干擾能力強,、測試速度快,、精度高、全自動數字化,、操作簡便,;廣泛適用于電力行業(yè)中變壓器、互感器,、套管,、電容器、避雷器等設備及相關絕緣材料的介損和介電常數的測量,。
三,、技術指標:
準確度:Cx:±(讀數×0.5%+0.5pF);
tgδ:±(讀數×0.5%+0.00005),;ε:0.5%,;
抗干擾指標:變頻抗干擾(40-70Hz),最大輸入電流5A,;
內置最高10KV測試電壓輸出,,可調分辨率1V;
電容量范圍:內施高壓:3pF~60000pF/10kV,;60pF~1μF/0.5kV,;
外施高壓:3pF~1.5μF/10kV;60pF~30μF/0.5kV,;
外接量程擴展器時可以測試幾千安培下高壓電器的介損值,;
分辨率:最高0.001pF,4位有效數字;
計算機接口:標準RS232接口,;
外形尺寸:8U標準機箱,;
儀器重量:25kg;
離子位移極化—— Ionic Polarization
電介質中的正負離子在電場作用下發(fā)生可逆的彈性位移,。 正離子沿電場方向 移動,,負離子沿反電場方向移動。由此形成的極化稱為 離子位移極化,。
![image.png](https://img72.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7adfaf2ba345501e742a083f0c4a814b618ab9f7ca56cb63a8.png)
離子在電場作用下偏移平衡位置的移動相當于形成一個感生偶極矩,。
![image.png](https://img71.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7a0b83710f77123566a35e2f97b83cb2cbef91a4dbf21d82ea.png)
離子位移極化所需時間大約為10-12~10-13秒 。不以熱的形式耗散能量,,不導致介電損耗,。
介電常數介質損耗測定儀(介電性能測試儀)
•損耗的形式
•介質損耗的表示方法
•介質損耗和頻率、溫度的關系
•無機介質的損耗
介質損耗定義:
電介質在單位時間內消耗的能量稱為電介質損耗功率,,簡稱電介質損耗,。或:電場作用下的能量損耗,,由電能轉變?yōu)槠渌问降哪?,如熱能、光能等,,統(tǒng)稱為介質損耗,。它是導致電介質發(fā)生熱擊穿的根源。
損耗的形式:
電導損耗:在電場作用下,,介質中會有泄漏電流流過,,引起電導損耗。 實質是相當于交流,、直流電流流過電阻做功,,故在這兩種 條件下都有電導損耗。絕緣好時,,液,、固電介質在工作電 壓下的電導損耗是很小的,
極化損耗:只有緩慢極化過程才會引起能量損耗,,如偶極子 的極化損耗,。
游離損耗:氣體間隙中的電暈損耗和液、固絕緣體中局部放 電引起的功率損耗稱為游離損耗,。
介質損耗的表示:
當容量為C0=?0S/d的平板電容器上 加一交變電壓U=U0eiwt,。則:
![image.png](https://img75.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7a4cbbe8a0b675b0d46d0374182d2f3a5ea481fa762404d1d4.png)
1、電容器極板間為真空介質時,, 電容上的電流為:
![image.png](https://img72.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7acb99c0fd90611a403431010b1a374f0c54253bea288fb606.png)
2,、電容器極板間為非極性絕緣材料時,,電容上的電流為:
![image.png](https://img72.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7a6e1fde3099aa11406b401e27d578552b76b178b80eb7c8c0.png)
3、電容器極板間為弱導電性或極性,,電容上的電流為:
![image.png](https://img74.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7ae7b1bff13af6a2808a34d479ec766e7a1636771980d23892.png)
G是由自由電荷產生的純電導,,G=?S/d, C=?S/d
如果電荷的運動是自由的,, 則G實際上與外電壓額率無關,;如果這些電荷是被 符號相反的電荷所束縛, 如振動偶極子的情況,,G 為頻率的函數,。
![image.png](https://img78.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7a64946d8728d4ef15e1470ce95174eaaadc37327f3767fed4.png)
![image.png](https://img80.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7a357795354e554feff459613322298254581718b8e4f6ce41.png)
介質弛豫和德拜方程:
1)介質弛豫:在外電場施加或移去后,系統(tǒng)逐漸達到平衡狀 態(tài)的過程叫介質弛豫,。 介質在交變電場中通常發(fā)生弛豫現象,,極化的弛豫。在介質上加一電場,,由于極化過程不是瞬時的,,極化包括兩項:
P(t) = P0 + P1(t)
P0代表瞬時建立的極化(位移極化), P1代表松弛極化P1(t)漸漸達到一穩(wěn)定值,。這一滯后 通常是由偶極子極化和空間電荷極 化所致,。 當時間足夠長時, P1(t)→ P 1 ∞ ,, 而總極化P(t) → P∞ ,。 ![image.png](https://img80.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7a1c52c15f41c6bd0bd44a9fe37ceb2241c347fed4f4130cb0.png)
2)德拜(Debye)方程:
頻率對在電介質中不同的馳豫現象有關鍵性的影響,。 設低頻或靜態(tài)時的相對介電常數為ε(0),,稱為靜態(tài)相對介電常數;當頻率ω→∞時,,相對介電常數εr’ →ε∞( ε∞代表光頻 相對介電常數),。則復介電常數為:
![image.png](https://img77.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7aa61247410a5bd0ebe47e1c86fa79de69028454c2239b4b88.png)
影響介質損耗的因素:
1、頻率的影響
ω→0時,,此時不存在極化損 耗,主要由電導損耗引起,。 tgδ=δ/ωε,則當ω→0時,, tgδ→∞,。隨著ω升高,tgδ↓,。
![image.png](https://img72.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7af0d21d451139982bc78cbbed8472835cc159d0dcac898816.png)
隨ω↑,,松弛極化在某一頻率開始跟不上外電場的變化, 松弛極化對介電常數的貢獻 逐漸減小,,因而εr隨ω↑而↓,。 在這一頻率范圍內,,由于ωτ <<1,故tgδ隨ω↑而↑,。
當ω很高時,,εr→ε∞,介電常數僅 由位移極化決定,,εr趨于最小值,。 由于ωτ >>1,此時tgδ隨ω↑而↓,。 ω→∞時,,tgδ→0。
![image.png](https://img76.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7a7d8c630807302df8d63e707cd8c0f8ad872bc7fc00a10433.png)
tgδ達最大值時ωm的值由下式求出:
![image.png](https://img77.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7a86f704b2c343a6f7f85f960060090116e6aba75f97f91c13.png)
tgδ的最大值主要由松弛過程決定,。如果介質電導顯著變大,,則tgδ的最大值變得平坦, 最后在很大的電導下,,tgδ無最大值,,主要表現為電導損耗特征:tgδ與ω成反。
![image.png](https://img77.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7ab6c1268317561eb75dbcfc6288eca4c5b98a5fa1e9bd16b8.png)
2,、溫度的影響
當溫度很低時,τ較大,,由德拜關系式可知,εr較小,,tgδ也較小,。此時,由于ω2τ2>>1,由德拜可得:
![image.png](https://img75.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7ae3fb593c10f4f3822e131db890343bca955eea4f4760cfca.png)
![image.png](https://img71.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7a16d0acb9fbecceb0731e43ac9dc7f5bea928fe16ff708652.png)
隨溫度↑,,τ↓,,所以εr、tgδ↑
當溫度較高時,,τ較小,,此時ω2τ2<<1
![image.png](https://img80.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7a4bab31976d97d163ae4b2cd6faf780f1ee90706b6cc51ee4.png)
隨溫度↑,τ↓,,所以tgδ ↓,。這時電導上升并不明顯,主要決定于極化過程:
![image.png](https://img76.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7acdb43cfcbb9dc4b5670d71ed8226929f237eb4b95aa8c49d.png)
當溫度繼續(xù)升高,,達到很大值時,, 離子熱運動能量很大,離子在電場作用下的定向遷移受到熱運動的阻礙,,因而極化減弱,,εr↓。此時電導損耗劇烈↑,,tgδ也隨溫度 ↑而急劇上升↑,。
![image.png](https://img71.chem17.com/0052540b3e6e2c7da7c7623c09fb0b7a1cd3c562772831a1a4d9b8159447f9f7da1c2259c881448b.png)
3.濕度的影響
• 介質吸潮后,,介電常數會增加,但比電導的增加要慢,,由于電導損耗增大以及松馳極化損耗增加,,而使tgδ增大。
• 對于極性電介質或多孔材料來說,,這種影響特別突出,,如,紙內水分含量從4%增加到10%時,,其tgδ可增加100倍,。
降低材料的介質損耗的方法
(1)選擇合適的主晶相:盡量選擇結構緊密的晶體作為主晶相。
(2)改善主晶相性能時,,盡量避免產生缺位固溶體或填隙固溶體,,最好形成連續(xù)固溶體。這樣弱聯(lián)系離子少,,可避免損耗顯著增大,。
(3)盡量減少玻璃相。有較多玻璃相時,,應采用“中和效應"和“壓抑效應",,以降低玻璃相的損耗。 (4)防止產生多晶轉變,,多晶轉變時晶格缺陷多,,電性能下降,損耗增加,。
(5)注意焙燒氣氛,。含鈦陶瓷不宜在還原氣氛中焙燒。燒成過程中升溫速度要合適,,防止產品急冷急熱,。
(6)控制好最終燒結溫度,使產品“正燒",,防止“生燒"和“過燒"以減少氣孔率。此外,,在工藝過程中應防止雜質的混入,,坯體要致密。
![](https://img80.chem17.com/0052540b3e6e2c7d523dff6c6e57e0c621c2f34d228500f7abf040546efbecaf40a6a96518ef7b8b.jpg)
![](https://img80.chem17.com/0052540b3e6e2c7d523dff6c6e57e0c6edfcc3476deb3b6bdb3cd34ae9709ae79eaf102981945df0.jpg)
![](https://img80.chem17.com/0052540b3e6e2c7d523dff6c6e57e0c68c2c40cdf4a673539360a7bafc9de2599155c5126e017fc7.jpg)
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