PECS II精密刻蝕鍍膜儀
儀器簡介：
PECS II精密刻蝕鍍膜儀是一款桌面型寬束氬離子拋光及鍍膜設備。
對于同一個樣品，可在同一真空環(huán)境下完成拋光及鍍膜,。
一款獨立,、結構緊湊的臺式設備。采用兩個寬束氬離子源對樣品表面進行拋光,， 去除損傷層,，從而得到高質量樣品，用于在 SEM,， 光鏡或者掃描探針顯微鏡上進行成像,、EDS、EBSD,、CL,、EBIC 或其它分析。
采用 WhisperLok®技術,，可選 配溫控液氮冷卻臺,。該功能有助于避免拋光過程 中產生的熱量而導致的樣品融化或者結構變化。
PECS II內置了一個 10 英寸的觸摸屏,。不管新手還是專家級用戶,，都可提高樣品的加工可控性 及可重復性。數碼變焦顯微鏡配合 DigitalMicrograph® 軟件,，可實現對樣品加工過程的實時 監(jiān)控及儲存彩色照片,，這便于在SEM中進行樣品檢查和分析。
性能優(yōu)點：
WhisperLok 系統(tǒng)： 無需破壞主樣品室真空即可裝卸樣品,。
低能聚焦潘寧離子槍：可加工對表面損傷敏感的樣品，包括 EBSD和 CL,。
能量從0.1 – 8.0 keV可調: 改進低能拋光效果,，減少非晶層；提供更高的能量,，以提高拋光速度,。
液氮樣品冷卻： 保護樣品，避免離子束熱損傷,，去除可能的假象,。
10 英寸觸摸屏控制：快速，簡便地訪問所有的控制參數,；無需電腦,。
數碼變焦顯微鏡： 實時監(jiān)控加工過程。
DigitalMicrograph 軟件彩照存儲： 將存儲的光學圖像與其他分析系統(tǒng)的數據做關聯分析,。
濺射沉積： 濺射靶材至樣品表面,，防止樣品在 SEM/FIB 中發(fā)生荷電。
主要應用：
半導體
金屬（氧化物，合金）
陶瓷
自然資源
技術規(guī)格：
| 離子源 | |
| 離子槍 | 兩個配有稀土磁鐵的潘寧離子槍 |
| 拋光角度 | 0 到18°,，每支離子槍可獨立調節(jié) |
| 離子束能量 (kV) | 0.1 – 8.0 |
| 離子束流密度峰值(mA/cm2) | 10 |
| 拋光速率 (µm/h) | 90（對于硅試樣） |
| 離子束直徑 | 可用氣體流量計或放電電壓來調節(jié) |
| 樣品臺 | |
| 樣品大小(長 × 寬 ×高, mm) | 32 × 15 |
| 轉速 (rpm) | 1 – 6 |
| 離子束調制 | 角度范圍可調的單向調制或雙向調制 |
| 樣品觀察 | 數碼變焦顯微鏡,，配有 PC 及 DigitalMicrograph 軟件（選配件） |
| 真空系統(tǒng) | |
| 干泵系統(tǒng) | 兩級隔膜泵支持 80 L/s的渦輪分子泵 |
| 壓力 (torr) | |
| 基本壓力 | 5 × 10-6 |
| 工作壓力 | 8 × 10-5 |
| 真空規(guī) | 冷陰極型，用于主樣品室,；固體型,，用 于 前級機械泵 |
| 樣品氣鎖 | WhisperLok技術，樣品交換時間小于1 分鐘 |
| 用戶界面 | |
| 10 英寸彩色觸摸屏 | 操作簡單,，且能夠控制所有參數和配方式操作 |
| 尺寸及使用要求 | |
| 外形尺寸 (長 × 寬× 高, mm) | 575 × 495 × 615 |
| 運輸重量(kg) | 45 |
| 功耗 (W) | |
| 運行時 | 200 |
| 待機時 | 100 |
| 電源要求 | 通用 100 – 240 VAC,，50/60 Hz（用戶額定電壓和頻率） |
| 氬氣(psi) | 25 |
訂貨編號：LR-200636
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