1. 微組裝技術(shù)概況

在提出微組裝這一名詞的初期,，特指表面貼裝技術(shù)發(fā)展到高一級的特定階段，即指引腳中必間距小于化３ｍｍ間隙的元器件表面貼裝技術(shù),，隨著技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展,，現(xiàn)在也泛指電路引線間距微小、或所生成的模塊,、組件,、系統(tǒng)微小的各種形式封裝、組裝技術(shù),。也有說法,；微組裝技術(shù)是微電路組裝技術(shù)的簡稱，即組裝人員利用組裝設(shè)備,、工具,，采用微型焊接、互連和封裝等工藝技術(shù)將各種微型元器件,、集成電路芯片,、微小結(jié)構(gòu)件等裝配在多層互連基板上,，最終使之成為高可靠、高密度,、二維結(jié)構(gòu)的微電子產(chǎn)品（模塊／組件／部件／子系統(tǒng)／系統(tǒng)）的過程,、方法與技術(shù)。

微組裝技術(shù)主要應(yīng)用對象為：微型元器件,、微細(xì)間距,、微小結(jié)構(gòu)、微連接,。

微組裝技術(shù)主要應(yīng)用場合為：器件級封裝,、電路模塊級組裝、微組件或微系統(tǒng)級組裝,。

微組裝技術(shù)主要內(nèi)容有：１）芯片焊接技術(shù)（導(dǎo)電膠粘接,、共晶焊接、倒裝焊法等）,；

                                     ２）化片互連技術(shù)（引線鍵合,、載帶自動鍵合、微凸點連接等）：

                                     ３）器件三維組裝技術(shù)（圓片級二維組裝,、芯片級二維組裝,、封裝級Ｈ維組裝）；

                                     ４）立體組裝技術(shù)（芯片級立體組裝,、板級立體組裝）,。

微組裝技術(shù)主要特征：１）在單塊印制板（或基板）上裝配多個元器件（包含有外封裝和無外封裝）Ｗ及其它微小零件形成電路模塊（或組件、微系統(tǒng),、子系統(tǒng)）,；

２）這種電路模塊或組件具有專用的功能和性能；

３）獨立的電路模塊或組件一般無外封裝,，也可Ｗ有外封裝（當(dāng)基板上裝有未封裝元器件時,，或特殊需要時）；

４）多塊獨立的電路模塊或組件可通過母板,、垂直互連等技術(shù)組裝成立體組件——維立體組裝技術(shù),；

５）多塊獨立的電路模塊或組件可Ｗ通過母板、接插互連或線纜互連技術(shù)形成更髙級別的系統(tǒng)——整機互聯(lián)技術(shù),；           ６）采巧元器件引腳間距小于化３ｍｍ間隙的表面組裝技術(shù),；

７）采用微連接,、微封裝方式組裝微小型組件／系統(tǒng),；

８）組裝設(shè)計需要多學(xué)科優(yōu)化和考慮微尺寸效應(yīng)。

微組裝技術(shù)發(fā)展方向,、趨勢：1）電子組裝技術(shù)繼續(xù)從單芯片向多總片發(fā)展,，出現(xiàn)了多化片模塊（ＭＣＭ）、多芯片封裝（ＭＣ巧、系統(tǒng)級封裝（ＳＩ巧及芯片疊層等,；

2）從二維向三維方向發(fā)展,，不僅出現(xiàn)了３Ｄ－ＭＣＭ（ＭＣＭ模塊堆疊），也出現(xiàn)了３Ｄ－ＳＩＰ等封裝形式,；           3）元器件朝超小型方向發(fā)展,，出現(xiàn)了０２０１、０１００５等更小的片式元件以及與芯片尺寸大小相同的超小型封裝形式——圓晶級封裝技術(shù)（ＷＬＰ）,；

4）低溫共燒陶瓷（ＬＴＣＣ）多層基板技術(shù)：ＬＴＣＣ可以制成內(nèi)埋多個無源元件（如電阻,、電容等）的三維電路基板，在其表面貼裝１Ｃ和無源器件,，制成無源／有源集成的功能模塊,，進(jìn)一步實現(xiàn)了微型化；

5）組裝技術(shù)與封裝技術(shù)的融合：ＳＯＰ技術(shù)在系統(tǒng)／子系統(tǒng)級組裝中大量采用多芯片組件等新技術(shù),，把包含微電子,、光電子、數(shù)字,、模擬,、射頻和微機電系統(tǒng)集成封裝為單一的組件系統(tǒng)；

6）ＭＥＭＳ（微電子機械系統(tǒng)）微組裝：涉及許多微加工技術(shù),，包括顯微刻蝕,、激光微鉆孔、干膜及液態(tài)粘接工藝,、微型焊接,、微成型、混合微電子工藝及精密微裝配工藝等,；

7）光電互聯(lián)技術(shù)：通過光信號傳輸,，把光源、互聯(lián)通道,、接受器等組成部分連成一體,，彼此間交換信息的一種髙效的光和電混合互聯(lián)技術(shù)。

2. 微組裝工藝流程

Ｔ／Ｒ組件包含的基本功能模塊主要有：電調(diào)衰減器,、低噪聲放大器,、Ｔ／Ｒ開關(guān)、固態(tài)功率放大器,、驅(qū)動放大器,、數(shù)字孩相器、限幅器,、環(huán)流器,、移相器等等,。雖然各基本功能模塊的名字不同、主要功能不同,，但從工藝角度出發(fā),，構(gòu)成各模塊的元器件、零部件,、材料等大同小異,，決定了它們的組裝工藝流程也類似。

微組裝主要工藝流程如下圖所示,，主耍工序有等離子清洗,、芯片導(dǎo)電膠粘接、芯片共晶焊接,、巧片真空燒結(jié),、金絲鍵合，可根據(jù)各模塊的具體情況作適當(dāng)調(diào)整,，其中芯片共晶焊接,、金絲鍵合是關(guān)鍵工序，芯片導(dǎo)電膠粘接是特殊控制過程,，且在研究初期均未能得到很好的控制,。

 

3. 等離子清洗技術(shù)介紹

物質(zhì)常見的三種狀態(tài)是固態(tài)、液態(tài)和氣態(tài),，如果給與氣態(tài)物質(zhì)更多的能量,，就會產(chǎn)生等離子體，等離子體包括電子,、離子,、光子、自由基和中性粒子,。上世紀(jì)60年代,，為了減少濕法清洗的污染及成本，等離子清洗技術(shù)開始起源,。在高分子,、光學(xué)、半導(dǎo)體,、測量等領(lǐng)域,，隨著技術(shù)的快速發(fā)展，等離子清洗已得到廣泛的應(yīng)用,。

與濕法清洗相比,，等離子清洗的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在以下幾個方面；

１）清洗過程只需幾分鐘即可完成,，清洗時等離子可滲透到物體細(xì)小的角落并完成清洗任務(wù),，因此清洗效率高,；

２）經(jīng)過等離子清洗后被清洗器件己經(jīng)很干燥,，無需再進(jìn)行干燥處理,。

３）清洗時產(chǎn)生的氣體及汽化的污垢被排出，在器件上無殘留物,；

４）可清洗不同的基材,，使用材料范圍廣；

５）節(jié)省廢物處理費用,。

4. 等離子清洗原理介紹

等離子清洗設(shè)各的工作原理是在真空狀態(tài)下,，利用微波能量供給裝置產(chǎn)生的高壓交變電場將工藝腔室內(nèi)的氧、氣,、氨等工藝氣體震蕩形成具有高能量和高反應(yīng)活性的等離子體,，活性等離子體與微顆粒污染物或有機污染物發(fā)生物理轟擊或化學(xué)反應(yīng)，使被清洗表面物質(zhì)變成粒子和揮發(fā)性氣態(tài)物質(zhì),，然后隨工作氣流經(jīng)過抽真空排出,，從而達(dá)到清潔、活化表面的目的,。

等離子清洗主要是依靠等離子體中活性粒子的＂活化作用＂達(dá)到去除物體表面污漬的目的,，根據(jù)清洗機理不同可分為物理清洗和化學(xué)清洗。等離子清洗機采用的是2.45Ghz微波等離子源,，其主要應(yīng)用清洗機理就是化學(xué)清洗,。

以化學(xué)清洗為主的微波等離子清洗有以下幾個優(yōu)點：

①無害處理過程，低偏置電壓,；

②快速反應(yīng),，*電子密度；

③無電極的等離子發(fā)生方式,，零維護(hù),；

④無UV紫外光線產(chǎn)生。 

 

5. 等離子清洗工藝研究

在微組裝中,，等離子清洗是一個非常重要的環(huán)節(jié),，它直接影響到所組裝功能模塊的質(zhì)量，等離子清洗工藝在微組裝工藝中主要應(yīng)用在以下兩個方面,。

①點導(dǎo)電膠前：基板上的污染物會導(dǎo)致基板浸潤性差,，點膠后不利于膠液平鋪，膠液呈圓球狀,。使用等離子清洗可以使基板表面浸潤性大大提高,，有利于導(dǎo)電膠平鋪及芯片粘貼，提高芯片粘接強度,。

②引線鍵合前：芯片粘貼到基板上后,，經(jīng)過高溫固化,，其上存在的污染物可能包含有微顆粒及氧化物等，這些污染物使引線與芯片或基板么間枯附性差,，造成鍵合強度不夠,。在引線鍵合前進(jìn)行等離子清洗，會顯著提高其表面活性,，從而提高引線鍵合強度,。

6. 等離子清洗工藝試驗

微組裝中等離子清洗對象主要有芯片鍵合區(qū)、基板語盤,、引線框架,、陶瓷基片等。本試驗選用基板進(jìn)行清洗,，基板焊盤表面誕銀,、已氧化，采用微波等離子清洗機對基板進(jìn)斤清洗試驗,，選用氮氫混合氣體作為清洗工藝氣體,，在清洗過程中氫等離子體能夠有效地去除基板焊盤上的氧化物。通過試驗,，有效地控制清洗時的壓力,、功率、時間及氣體流量等工藝參數(shù),，能夠獲得良好的清洗效果,。

7. 等離子清洗機清洗效果

通過以上參數(shù)設(shè)置對試驗基板（焊盤錐銀、已氧化）進(jìn)行清洗,，可以看到氧化銀被充分還原,，獲得了良好的清洗效果。下圖是試驗基板清洗前,、清洗后的圖片,。

 

等離子清洗就是為了改善表面的浸潤特性，判定等離子清洗的效果就是判定表面的浸潤特性是否改善以及改善的程度,。浸潤表面是親水的,，其潤濕角小于９０°；不浸潤表面是憎水的,，其潤濕角大于90°,。大多數(shù)污染物及氧化物是憎水（不浸擱）的，故可采用放大鏡下觀測潤濕角來衡量基板表面的浸潤性,。

 

因此,，通過試驗比對觀察，經(jīng)等離子清洗過的基板，改善了浸潤特性,，減小了其澗濕角,。

參考：部分摘錄段佐勇，2014年,，南京理工大學(xué),，光學(xué)工程，優(yōu)秀碩士論文