一,、可控硅檢測儀產(chǎn)品介紹：

１、它可以測量小至TO-92封裝大至TO-3P封裝的各種電流等級的塑封單,、雙向可控硅（晶閘管）,。
２、專門設(shè)計了0-1O00uA的觸發(fā)電流量程,，可以直接測量MCR100-6等微安級觸發(fā)電流的可控硅,。
３、可以測量DIP-6,、DIP-4封裝的過零和非過零檢測可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控硅輸出的光電耦合器,。
４、可以測量200A以下的螺銓型單,、雙向可控硅和可控硅組合模塊,。
５、測試觸發(fā)電流和觸發(fā)電壓時無需人工調(diào)節(jié)，可控硅插入測試座后儀器會自動的調(diào)節(jié)至觸發(fā)值,，并穩(wěn)定的顯示觸發(fā)電流 IGT / 觸發(fā)電壓 VGT,。
６、測試可控硅耐壓參數(shù)時只需一次性調(diào)節(jié)好zui高輸出電壓值,，以后每測一個管子只要按下高壓按鈕即可顯示該可控硅的耐壓值,。

該儀器主要用于可控硅使用廠家對可控硅元件的質(zhì)量檢驗、參數(shù)的配對,、可控硅設(shè)備的維修之用,。儀器還可以廣泛的應(yīng)用于對多種電子元器件的高低壓耐壓的測試。儀器外型美觀,、性能穩(wěn)定,、測量準確、使用安全方便,。

二,、可控硅檢測儀主要技術(shù)性能
1、可控硅觸發(fā)電流IGT 測量范圍： 6—1000uA ,，0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % ,。
2、可控硅觸發(fā)電壓VGT測量范圍： 0—5V,， 精度：≤5 % ,。
3、可控硅光耦輸入端LED觸發(fā)電流IFT測量范圍：0—10.00mA, 0—100.0mA 精度：≤3 % ,。
4,、可控硅光耦輸入端LED觸發(fā)電壓VFT測量范圍：0—3V 精度：≤5 % 。
5,、可控硅和可控硅光耦輸出端,，正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM/VRSM測量范圍： 0—2KV精度：≤3 % 。
6,、可控硅和可控硅光耦輸出端,，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM/VRRM測量范圍： 0—1.6KV精度：≤5 % 。

三,、主要測試功能
1,、全系列單雙向塑封可控硅觸發(fā)電流IGT、觸發(fā)電壓VGT的測試,，正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM / VRSM的測試,，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM / VRRM的測試。
2,、DIP-6,、DIP-4封裝的過零和非過零檢測可控硅輸出的光電耦合器和DIP-6封裝的單向可控硅輸出的光電耦合器輸入LED端IFT / VFT的測試,，輸出端可控硅正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM / VRSM的測試，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM / VRRM的測試,。
3,、電流在200A以內(nèi)，VDSM / VRSM在2KV以內(nèi),，觸發(fā)電流在120mA以內(nèi)的螺銓型單,、雙向可控硅和可控硅組合模塊的觸發(fā)電壓IGT、觸發(fā)電流VGT的測試,，正反向不重復(fù)峰值電壓VDSM / VRSM的測試,，正反向重復(fù)峰值電壓VDRM / VRRM的測試。
4,、2KV以內(nèi)的各類二極管,、三極管、達林頓管,、整流橋,、MOS場效應(yīng)管、IGBT及各種模塊的耐壓測試,。
5、2KV以內(nèi)的壓敏電阻,、穩(wěn)壓管,、雙向觸發(fā)二極管等電壓值的測試。