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化學(xué)氣相?沉積法CVD（Chemical Vapor Deposition）是近年發(fā)展起來(lái)的制備無(wú)機(jī)材料的新技術(shù),。此方法是利用氣態(tài)或蒸汽狀態(tài)的物質(zhì)在固體表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，從而形成所需要的固態(tài)薄膜或涂層的過(guò)程,。其中,，用氫氣還原鹵化物來(lái)制備各種金屬或多晶硅薄膜是為常用的化學(xué)反應(yīng)，此還原反應(yīng)的方法應(yīng)用范圍廣泛,，可制備單晶,、多晶以及非晶薄膜，另外也容易摻雜,。

作為反應(yīng)中*的還原氣體,，氫氣在CVD反應(yīng)中扮演著極其重要的作用,。通常實(shí)驗(yàn)室如今還在使用傳統(tǒng)的氫氣鋼瓶作為氫氣氣源，但是氫氣鋼瓶不僅搬運(yùn),、使用不便,，而且氫氣是易燃易爆氣體，存在極大的安全隱患,。因此,，氫氣發(fā)生器便成為了代替氫氣鋼瓶的選擇。如今,，Peak氫氣發(fā)生器已廣泛應(yīng)用于CVD實(shí)驗(yàn),，是化學(xué)氣相沉積應(yīng)用的可靠安全的氫氣氣源。

應(yīng)用優(yōu)勢(shì)：

1.高純度

作為反應(yīng)中*的還原氣體,，高純度氫氣在CVD反應(yīng)中扮演著極其重要的作用,。

氫氣中微量氧或水蒸氣等雜質(zhì)會(huì)對(duì)沉積過(guò)程產(chǎn)生很大影響，當(dāng)有氧存在時(shí),，沉積物的晶粒劇烈生長(zhǎng),，并伴有分層現(xiàn)象出現(xiàn)。

Peak氫氣發(fā)生器采用三重過(guò)濾技術(shù),，所產(chǎn)氫氣純度＞99.9999%,，氧氣含量< 1ppm，水含量< 1ppm,，過(guò)濾技術(shù)及氫氣純度都為市場(chǎng),。

Peak高純氫氣發(fā)生器

2.安全性

Peak氫氣發(fā)生器因其即產(chǎn)即用、按需供給的特點(diǎn),，成為極為安全,、可靠的氫氣氣源。

Peak氫氣發(fā)生器采用PEM質(zhì)子交換膜電解純水的原理產(chǎn)生高純氫氣,，無(wú)需添加堿液,，即插即用，使用方便,，而且具有開機(jī)自檢,、壓力報(bào)警等特性，全面保障發(fā)生器的安全性,。

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