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上海添時(shí)科學(xué)儀器有限公司

薄膜沉積設(shè)備解析——PECVD設(shè)備的原理和應(yīng)用

時(shí)間:2023-2-28 閱讀:3128
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薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料,,比如絕緣化合物二氧化硅,,半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等,。用來(lái)鍍膜的這個(gè)設(shè)備就叫薄膜沉積設(shè)備,。

從半導(dǎo)體芯片制作工藝流程來(lái)說(shuō),位于前道工藝中,。



薄膜制備工藝按照其成膜方法可分為兩大類(lèi):物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD),,其中CVD工藝設(shè)備占比更高。

物理氣相沉積(PVD)指將材料源表面氣化并通過(guò)低壓氣體/等離子體在基體表面沉積,,包括蒸發(fā),、濺射、離子束等,;

化學(xué)氣相沉積(CVD)是指通過(guò)氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面沉積一層固體膜的工藝,,根據(jù)反應(yīng)條件(壓強(qiáng)、前驅(qū)體)的不同又分為常壓CVD(APCVD),、低壓CVD(LPCVD),、等離子體增強(qiáng)CVD(PECVD)、高密度等離子體CVD(HDPCVD)和原子層沉積(ALD),。




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