雙靶磁控濺射儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜,、導電薄膜,、合金薄膜,、半導體薄膜、陶瓷薄膜,、介質(zhì)薄膜,、光學薄膜、氧化物薄膜,、硬質(zhì)薄膜,、聚四氟乙烯薄膜等。與同類設(shè)備相比,，其不僅應用廣泛,，且具有體積小便于操作的優(yōu)點,是一款實驗室制備材料薄膜的理想設(shè)備。

　　雙靶磁控濺射儀原理

　　磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下,，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞,，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片,，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射,。在濺射粒子中,，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移,，簡稱E×B漂移,，其運動軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場,，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動,，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材,，從而實現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加,，二次電子的能量消耗殆盡,，逐漸遠離靶表面，并在電場E的作用下zui終沉積在基片上,。由于該電子的能量很低,，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低,。

　　雙靶磁控濺射儀特點:

　　1,、附著力要求：薄膜與玻璃片、硅片或者陶瓷基底的附著力能夠承受3次膠帶拉伸試驗,，薄膜沒有被破壞,。

　　2、樣品具有反濺射功能,，可對樣品進行鍍前預清洗,。

　　3、設(shè)備配有陽極層離子源,，可對樣品進行清洗,，同時，可在鍍膜時,，對樣品進行輔助沉積,。

　　4、工藝氣體：工作氣路2路：獨立質(zhì)量流量控制器2路,，用于反應氣體進氣和氬氣氣路,，采用MKS質(zhì)量流量計；具有混氣功能,；腔內(nèi)氣壓可測可調(diào)可控,。

　　5、濺射室烘烤照明：采用紅外加熱除氣方式,，烘烤溫度：150℃,。

　　6,、真空室內(nèi)有襯板，避免濺射材料直接濺射到濺射室真空壁上,。（在后面表格體現(xiàn)）

7,、設(shè)備具有斷水斷電連鎖保護功能，有防止誤操作保護功能,。系統(tǒng)采用手動控制膜制備過程可控制靶擋板,、樣品轉(zhuǎn)動、樣品控溫等,。