射頻ICP薄膜沉積裝置 型號：YQ-DHIP-1 貨號：ZH5495 
產(chǎn)品簡介
  本裝置主要由薄膜沉積室,、真空抽氣系統(tǒng),、氣源進氣調(diào)節(jié)系統(tǒng),、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)等部分組成,。
  通過本實驗裝置可以掌握CVD（化學(xué)氣相沉積）,；理解CVD的成膜過程及要求，化學(xué)輸運反應(yīng)的原理,，等離子體CVD的原理,、特點及等離子體的激勵方式；了解該在電學(xué),、光學(xué),、微電子學(xué)等領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用前景。
可開設(shè)的實驗
1,、P型微晶硅材料及在薄膜太陽能電池上的應(yīng)用,；
2、硅系納米復(fù)合薄膜材料PCVD法制備；
3,、電容耦合/電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積制備種功能薄膜,。
主要參數(shù)
1、薄膜沉積室：由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成,；尺寸：Φ220×H230mm,；
2、薄膜沉積室本底真空： ≤1Pa,；
3,、射頻耦合方式：電容耦合/電感耦合；射頻源功率：帶500W  13.56MHz,；
4,、氣路系統(tǒng)：由三路轉(zhuǎn)子流量計控制（可選配流量計）；
5,、襯底加熱溫度：室溫至300℃可控,；
6、平行板電：Φ70mm,；
7,、工作反應(yīng)氣體：由電板上微孔均勻?qū)耄?br />8、真空抽氣系統(tǒng)：2XZ-4型旋片機械泵,，4L/S,，單相220V交流電源供電；
9,、管道,、閥門：材質(zhì)使用不銹鋼和金屬波紋管,；
10,、對過流過壓、斷路等異常情況進行報警,，并執(zhí)行相應(yīng)保護措施,；
11、供電電源：AC220V,，50Hz,，整機功率2KW。