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射頻ICP薄膜沉積裝置 型號(hào):YQ-DHIP-1 貨號(hào):ZH5495
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
本裝置主要由薄膜沉積室,、真空抽氣系統(tǒng),、氣源進(jìn)氣調(diào)節(jié)系統(tǒng),、襯底加熱溫度控制系統(tǒng)等部分組成,。
通過(guò)本實(shí)驗(yàn)裝置可以掌握CVD(化學(xué)氣相沉積),;理解CVD的成膜過(guò)程及要求,化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)的原理,,等離子體CVD的原理,、特點(diǎn)及等離子體的激勵(lì)方式;了解該在電學(xué),、光學(xué),、微電子學(xué)等領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用前景。
可開設(shè)的實(shí)驗(yàn)
1,、P型微晶硅材料及在薄膜太陽(yáng)能電池上的應(yīng)用,;
2、硅系納米復(fù)合薄膜材料PCVD法制備,;
3,、電容耦合/電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積制備種功能薄膜。
主要參數(shù)
1,、薄膜沉積室:由不銹鋼底與玻璃鐘罩組成,;尺寸:Φ220×H230mm;
2,、薄膜沉積室本底真空: ≤1Pa,;
3、射頻耦合方式:電容耦合/電感耦合,;射頻源功率:帶500W 13.56MHz,;
4、氣路系統(tǒng):由三路轉(zhuǎn)子流量計(jì)控制(可選配流量計(jì)),;
5,、襯底加熱溫度:室溫至300℃可控;
6,、平行板電:Φ70mm,;
7、工作反應(yīng)氣體:由電板上微孔均勻?qū)耄?br />8,、真空抽氣系統(tǒng):2XZ-4型旋片機(jī)械泵,,4L/S,單相220V交流電源供電,;
9,、管道、閥門:材質(zhì)使用不銹鋼和金屬波紋管,;
10,、對(duì)過(guò)流過(guò)壓,、斷路等異常情況進(jìn)行報(bào)警,并執(zhí)行相應(yīng)保護(hù)措施,;
11,、供電電源:AC220V,50Hz,,整機(jī)功率2KW,。
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