Volnic伏達(dá) UI9611 MOS管分選儀

◆ 測量參數(shù)：開啟電壓,，內(nèi)阻，跨導(dǎo),，耐壓
◆ 測量范圍: UGS(th): 0.1~9.9V, RDS: 0.001~9.999Ω, gm: 0.10~10.00S, V(BR)DS: 50~650V
◆ 測試電流：0.1~5A 連續(xù)程控可調(diào) ,，模擬不同工況
◆ 可設(shè)定上下限，可分檔,，超限自動(dòng)聲光報(bào)警

◆ 在大電流下準(zhǔn)確測量內(nèi)阻的技術(shù),。

  Volnic伏達(dá) UI9611 MOS管分選儀

二． 主要功能和技術(shù)指標(biāo)1． 測量參數(shù):開啟電壓 UGS(th)飽和內(nèi)阻 RDS跨導(dǎo) gm耐壓 V(BR)DSR2． 測試條件:? 飽和內(nèi)阻的電流測試條件 電流 0.100-5.000 數(shù)控連續(xù)可調(diào)? 跨導(dǎo)的電流測試條件 電流 0.100-5.000 數(shù)控連續(xù)可調(diào)? 開啟電壓的電流測試條件 恒流測試，共三個(gè)檔,，分別為 10.0mA,，1.0mA，0.1mA3． 對(duì)測試的 gm進(jìn)行分檔,，可顯示批號(hào),；對(duì) UGS(th),、RDS、V(BR)DSR進(jìn)行超限判斷,，若不合格蜂鳴器發(fā)出訊響,，同時(shí)指示燈指明哪一項(xiàng)不合格。4． 測試范圍及精度UGS(th)： 0.1 V～9.9 V 精度 2.5%±2 個(gè)字RDS： 0.000 Ω～2.500 Ω 精度 2.5%±2 個(gè)字gm： 0.00 S～10.0 S 精度 2.5%±3 個(gè)字V(BR)DSR： 50 V～650 V 精度 2.5%±3 個(gè)字___________________________________________________________________ 伏 達(dá) 儀 器- 4 -5． 四窗口數(shù)字顯示所測數(shù)據(jù),，讀數(shù)直觀,。6． 所有測試、分檔,、超限判斷,、合格提示等工作，全部由內(nèi)置電腦自動(dòng)完成,。整個(gè)過程只需 1 秒鐘,。7． 既適用于實(shí)驗(yàn)室，又適用于生產(chǎn)線快速篩選,。三． 基本原理1．開啟電壓 UGS(th)如圖 1 在 MOS 管 G 極上加上一個(gè)幅值逐漸增大的電壓,，當(dāng) ID為 100μA時(shí)，MOS 管 G,、S 兩端的電壓即為 UGS(th),。2．飽和內(nèi)阻 RDS如圖 2 所示，MOS 管 G,、S 端加一高電平 Ui,，使 MOS 管飽和導(dǎo)通，測得D,、S 端的電壓 UDS和電流 IDS,飽和內(nèi)阻 RDS由下式計(jì)算所得：RDS= UDS/ IDSGD圖 1+12IDSGD圖 2+12SUDS IDSUi___________________________________________________________________ 伏 達(dá) 儀 器- 5 -3．跨導(dǎo) gm測試gm = ΔIDS/ΔUi 單位：西門子（S）,。4．耐壓 V(BR)DSR測試如圖 4 把 G,、S 極短接,，儀器自動(dòng)增加高壓值,，當(dāng)漏電流到達(dá) 1mA 時(shí)所施加的電壓即為耐壓 V(BR)DSR,。GD圖 3+12SIDSUiGD圖 4可調(diào)高壓S 電流取樣___________________________________________________________________ 伏 達(dá) 儀 器- 6 -四． 操作說明在使用本儀器進(jìn)行測量之前，首先應(yīng)根據(jù)被測 MOS 管的特性,，決定該 MOS管的測試條件,，若要進(jìn)行大批量的同規(guī)格測試,，為提高測試效率,，減輕測試人員的工作負(fù)擔(dān),，建議使用本儀器的分選功能。注意：為得到正確的測量結(jié)果,，請(qǐng)正確設(shè)定參數(shù),。在使用本儀器前，請(qǐng)?jiān)敿?xì)閱讀本章內(nèi)容。1,、儀器前面板2,、參數(shù)設(shè)定本儀器設(shè)定參數(shù)分為 2 種：測試條件參數(shù)設(shè)定和分選參數(shù)設(shè)定。（1）測試條件設(shè)定根據(jù)被測 MOS 管的特性,，決定需要設(shè)定哪些參數(shù)，并選擇相應(yīng)的按鍵,。? 飽和內(nèi)阻測試條件：飽和內(nèi)阻測試應(yīng)設(shè)定 IDS 的電流值,。在面板的“測試條件"按鍵區(qū)域里，按下 RDS 鍵,，進(jìn)入飽和內(nèi)阻測試條件設(shè)定,。儀器顯示為 tc Rds x.xxx –A ,提示進(jìn)入設(shè)定測量飽和內(nèi)阻時(shí)的電流值。修改數(shù)據(jù)用↑,、↓,、→三鍵，閃爍位是可修改位,，用“↑",、“↓"可使閃爍位數(shù)據(jù)加減 1，這一位修改完畢,，用“→"移動(dòng)閃爍位,，然后繼續(xù)使用“↑"、“↓"鍵修改,，直到每一位都修改到需要值為止,。最后按“ENTER"鍵予以確認(rèn)，儀器保存該參數(shù),，同時(shí)RDS UON批 號(hào)刷 新ggm0 1m A .1 mA1 0m A gmRDS UON E N T ER R E FR E S HL O T 不合格N GUON gm RDS U PL O FORWARD批 號(hào)LO T 測試臺(tái)___________________________________________________________________ 伏 達(dá) 儀 器- 7 -退出設(shè)定,。? 跨導(dǎo)測試條件：跨導(dǎo)測試應(yīng)設(shè)定 IDS 的電流值。在面板的“測試條件"按鍵區(qū)域里,，按下 gm 鍵,，進(jìn)入跨導(dǎo)測試條件的設(shè)定。顯示為tc Gfs x.xxx –A ,提示進(jìn)入設(shè)定測試跨導(dǎo)時(shí)的電流大小,。修改數(shù)據(jù)用↑,、↓、→三鍵,，閃爍位是可修改位,，用“↑"、“↓"可使閃爍位數(shù)據(jù)加減 1,，這一位修改完畢,，用“→"移動(dòng)閃爍位，然后繼續(xù)使用“↑"、“↓"鍵修改,，直到每一位都修改到需要值為止,。最后按“ENTER"鍵予以確認(rèn)，并退出設(shè)定,，當(dāng)無需修改設(shè)定數(shù)據(jù)時(shí),，可直接按下“ENTER"鍵予以確認(rèn)，儀器保存該參數(shù),，同時(shí)退出設(shè)定,。? 開啟電壓測試條件：開啟電壓測試應(yīng)設(shè)定 IDS 的電流值。在面板的“測試條件"按鍵區(qū)域里,，按 Uon 鍵,，觀察電流指示燈的位置，選擇相應(yīng)的測試電流,。（2）分選設(shè)定在大批量的測試中,，為提高測試效率，往往使用儀器的分選功能,。為得到正確的分選結(jié)果,，必須要對(duì)儀器進(jìn)行正確的參數(shù)設(shè)定。在儀器面板的“分選判據(jù)"按鍵區(qū)域里,，測得的 4 個(gè)參數(shù)都可以上下限報(bào)警或可分檔,，具體如下。其中 gm 為跨導(dǎo),，可分檔,，并可上、下限報(bào)警UGS(th) 為開啟電壓,，上,、下限報(bào)警RDS 為內(nèi)阻，上限報(bào)警V(BR)DSR 為耐壓,，下限報(bào)警①開啟電壓 UGS(th)：按 “UON"鍵,，進(jìn)入開啟電壓設(shè)定第一步：設(shè)定下限。根據(jù)篩選要求輸入每位數(shù)據(jù),，輸入完畢,，按“ENTER"鍵確認(rèn)。下限輸入完畢,，儀器進(jìn)入上限設(shè)定,。第二步：設(shè)定上限。同上設(shè)定完畢,，按“ENTER"鍵,。測試數(shù)據(jù)在上、下___________________________________________________________________ 伏 達(dá) 儀 器- 8 -限之間儀器判斷為合格，否則為不合格,。②飽和內(nèi)阻 RDS設(shè)定按 “RDS"鍵,，進(jìn)入 RDS設(shè)定狀態(tài)，為上限報(bào)警,。輸入飽和內(nèi)阻上限值,，數(shù)據(jù)設(shè)定完畢后，按“ENTER"鍵后儀器保存數(shù)據(jù),。③跨導(dǎo) gm設(shè)定按 “gm"鍵,，進(jìn)入 gm 設(shè)定狀態(tài)，依次輸入各檔的分檔數(shù)據(jù),，并按“ENTER"鍵確認(rèn)，完畢時(shí)輸入結(jié)束符 9.99,，并按““ENTER"鍵確認(rèn),， gm判據(jù)設(shè)定完成。舉例：某單位對(duì) gm分選做以下要求：小于 1.00 不合格,，1.00～1.50 之間為第一檔,；1.50～2.00 之間為第二檔，大于 2.00 不合格,。根據(jù)這一要求,，依次輸入 1.00、1.50,、2.00,、9.99 四個(gè)數(shù)據(jù)。儀器判斷時(shí),，小于 1.00,，大于 2.00 判為不合格；在 1.00～2.00 之間為合格,，并進(jìn)行分檔,。9.99 只是結(jié)束符，不作為判據(jù)使用,。如果某個(gè)三極管 gm測試值為 1.30,，則儀器顯示批號(hào)時(shí)顯示為 1，即表示處在 1.00～1.50 之間,。④耐壓 V(BR)DSR設(shè)定按“VBR(DSR)"鍵,，進(jìn)入耐壓設(shè)定狀態(tài), 為下限報(bào)警。輸入耐壓下限值,，數(shù)據(jù)設(shè)定完畢后,，按“ENTER"鍵后儀器保存數(shù)據(jù)。3、測試操作（1） 確定被測 MOS 管的測試條件已正確設(shè)定,。（2） 若是大批量測試,，確定被測 MOS 管的分選測試已正確設(shè)定。（3） 插上 MOS 極管,，儀器自動(dòng)測試 UGS(th),、RDS、gm,，如果想測 V(BR)DSR,，請(qǐng)按測試盒上的紅色按鍵，儀器就自動(dòng)測試耐壓,。（4） 若希望在測試 gm時(shí)顯示批號(hào),，請(qǐng)按面板上的“批號(hào)"鍵。（5） 當(dāng)被測 MOS 管插在插座上時(shí),，若按刷新鍵,，儀器自動(dòng)重新測量一次。___________________________________________________________________ 伏 達(dá) 儀 器- 9 -（6） 當(dāng)內(nèi)阻測試明顯超過預(yù)定數(shù)值時(shí),，可能儀器需要清零操作,，請(qǐng)按第五章內(nèi)容進(jìn)行正確的清零操作。