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CVD 化學氣相沉積（CVD）為一種薄膜沉積方法,，其中將基材暴露於一種或多種揮發(fā)性氣體中，在基板表面上反應或分解以生成所需的薄膜沉積物,。這種方法通常用於在真空環(huán)境中製造高質量與高性能的固體材料,。因此，該製程通常在半導體工業(yè)中用於製造薄膜,。

化學氣相沉積

Figure 1:化學氣相沉積的步驟

在典型的CVD中,，將前驅物在室溫下進料到反應腔體中。當它們與加熱的基板接觸時,，它們發(fā)生反應或分解以形成薄膜,，並沉積在基材上。在此過程中,，還會產(chǎn)生副產(chǎn)物,，這些副產(chǎn)物可通過流經(jīng)反應腔體的氣流除去。其製程溫度非常重要,，會影響其化學反應,。

Figure 2: 示意圖-化學氣相沉積的步驟