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非晶矽前驅物（a-Si）,。

氮化矽 (SiNx),。

氧化矽,，矽烷基(SiOx)。

氧化矽,，TEOS (SiOx),。

客製化基板尺寸最大為550 x 650 mm2(玻璃)。

優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％,。

每個製程腔內最多可加裝7組氣體管線,。

遠程電漿進行腔體清潔。

穩(wěn)定的溫度控制,，可將基板加熱到380°C,。

Cassette傳送站。

TEOS沉積製程,。

OES,、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口。