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基礎(chǔ)電漿研究。

III-V族化合物半導(dǎo)體蝕刻（GaAsn,，InP,，GaN）。

Si,，SiO2，SiNx 蝕刻,。

微機(jī)電系統(tǒng),。

金屬與矽的蝕刻。

陽(yáng)極電鍍處理鋁腔,。

通過(guò)使用水冷系統(tǒng),、加熱器或加熱包來(lái)控制腔體溫度。

客製化的基板尺寸,，最大直徑可達(dá)12寸晶圓,。

單載片或多載片,。

優(yōu)異的薄膜均勻度小於±5％。

精準(zhǔn)流量控制器,，氣體分佈高度均勻,，最多可容納6條氣體管線。

穩(wěn)定的溫度控制,，將載盤(pán)加熱至400°C或冷卻至-20°C,。

渦輪分子幫浦。

蝕刻終點(diǎn)偵測(cè)（OES,，激光）相容性,。