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上海高壓硅堆廠家
| 參考價 | ￥ 10000 |
| 訂貨量 | 1 件 |
- 型號
- 品牌 其他品牌
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
- 所在地 上海市
更新時間：2023-09-03 17:22:52瀏覽次數(shù)：1883
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| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,石油,地礦,電子,交通 |
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上海高壓硅堆廠家
本目錄由上海徐吉電氣有限公司專業(yè)為您提供：
10~500kV
100mA~2000mA
高壓硅堆又叫硅柱,。它是一種硅高頻高壓整流二極管,。工作電壓在幾千伏至幾萬伏之間。常用于黑白電視機或其他電子儀器中作高頻高壓整流,。它之所以能有如此高的耐壓本領(lǐng),，是因為它的內(nèi)部是由若干個硅高頻二極管的管心串聯(lián)起來組合而成的。外面用高頻陶瓷進行封裝,。
上海高壓硅堆廠家
技術(shù)參數(shù)
高壓硅堆具有體積小,、重量輕、機械強度高,、使用簡便和*等優(yōu)點,，普遍用于直流高壓設(shè)備中作為基本的整流元件,。實際上一個硅堆常由數(shù)個至數(shù)十個硅整流二極管串聯(lián)封裝而成。具有單向?qū)щ娦缘墓瓒O管的正反向伏安特性下圖所示,，由下圖可知當二極管上外加正向電壓Uf很小時正向電流很小,，但當Uf大于某一值UF后正向電流If，則隨Uf的增大而迅速增大,，通常稱UF為“死角電壓”,，對于高壓硅整流二極管UF約為0.4 V~0.6 V。又當外加反壓Ur于二極管時則二極管呈現(xiàn)很大阻抗,，其反向電流Ir很小(約幾微安),，并隨反壓增加而稍有增長，但當反壓超過某一值UR后Ir則急劇增,，則UR稱為擊穿電壓,，高壓硅整流二極管的UR可達數(shù)千伏至上萬伏。
硅二極管伏安特性
硅二極管和硅堆基本技術(shù)參數(shù)如下：
1.額定整流電流If—指的是通過二極管的正向電流在一個周期內(nèi)的平均值,。在選擇整流元件時顯然應(yīng)使其If≥Id,，即運行中通過二極管的電流不應(yīng)大于If。
2.正向壓降Uf—當二極管通過的正向電流為額定值If時在管子兩端的壓降,。
3.額定反峰電壓值Ur一即二極管截止時在管子兩端允許出現(xiàn)的高反向工作電壓峰值,。它是電容器上電壓和變壓器輸出電壓之差，它的波形基本上相當于一個帶直流分量的正弦波,。在選擇整流元件時應(yīng)使Ur滿足下式：
式中,，UT—工頻試驗變壓器T的輸出電壓(有效值) ；
S—紋波因數(shù),；
Ud—輸出直流電壓算數(shù)平均值,。
否則管子可能出現(xiàn)反向擊穿。一般Ur選為它的擊穿電壓的1/2～2/3,，即Ur=(1/2～2/3)UR,。
4.反向平均電流Ir—在高反向工作電壓作用下流過管子的反向電流平均值。
高壓硅堆技術(shù)參數(shù)
高壓硅堆使用注意事項
使用硅堆時還應(yīng)掌握它的過載特性,，一般硅堆的正向損壞是由于二極管PN結(jié)的熱擊穿造成的,，根據(jù)大功率硅整流元件技術(shù)標準規(guī)定，PN結(jié)的高允許工作溫度為140℃
因此在正常工作時結(jié)溫必須低于140℃,，不然會引起硅堆特性變壞和加速封裝硅堆的絕緣介質(zhì)的老化,，從而影響硅堆使用壽命。為了在正常工作狀態(tài)下保證PN結(jié)的溫度不超過允許溫度,，必須注意以下幾點：
1.所用硅堆的額定正向整流電流峰值,，應(yīng)不小于其在正常實際工作狀態(tài)中的電流大值。特別是對一些正常工作狀態(tài)下負載側(cè)經(jīng)常發(fā)生閃絡(luò)或擊穿的直流高壓設(shè)備(例如靜電除塵器中)的硅堆,，If值應(yīng)適當選大一些,。此外所規(guī)定的額定整流電流值If,，一般是指在自然對流冷卻下的允許使用值，如果采用油冷,，則整流電流大約可提高一倍,。
2.根據(jù)高壓硅堆的頻率特性可分工頻高壓硅堆(用2DL表示)和高頻高壓硅堆(用2DGL表示)。工頻高壓硅堆所整流的電流頻率應(yīng)在3 kHz以下,，高頻高壓硅堆所整流的電流頻率可在3 kHz以上,。對于高頻電壓的整流應(yīng)使用相應(yīng)的高頻高壓硅堆。
3.高壓硅堆所標稱的額定整流電流值是指在使用環(huán)境溫度為室溫時的平均整流電流值,。如在較高的環(huán)境溫度下工作時，所允許的整流電流值應(yīng)相應(yīng)地減小,。下圖為環(huán)境溫度與被允許的平均整流電流百分比的關(guān)系曲線,。
硅堆溫度負載特性曲線
4.高壓硅堆的結(jié)溫是由于PN結(jié)的功率損耗對結(jié)部加熱所致，而結(jié)功率損耗還與整流電流的波形和施加的反向電壓有關(guān),。例如,，當波形為非正弦波而是矩形波時，硅堆的整流電流值應(yīng)減小,。當反向電壓較高時尚需考慮反向功率損耗(一般情況下可忽略),，務(wù)必使其不要超過元件允許值。
但是在事故狀態(tài)下,，例如試品發(fā)生擊穿或閃絡(luò),，則硅堆有可能流過很大的正向電流，此時結(jié)溫允許在一短時間內(nèi)超過額定高允許結(jié)溫,，若時間很短則尚不致造成損壞,。但若在某一給定的時間問隔內(nèi)，電流值超過了相應(yīng)的某一限度,，則PN結(jié)可能因過流而使元件燒毀,。另外，即使電流值不超過這個限度,，這種過電流的沖擊次數(shù)在硅堆的整個使用壽命期間也不能太多(大約在幾百次),。表示硅堆在多長的時間間隔內(nèi)，允許流過多大的故障電流的特性,，稱為過載特性(此時結(jié)溫不能超過160℃),，而該允許的電流值稱為過載電流額定值。下圖分別為額定整流電流為150 mA和0.5A硅堆的過載特性曲線,。
150mA硅堆(a)和0.5 A硅堆(b)過載特性
為了保護硅堆必須保證流過硅堆的事故電流(峰值)不超過允許的過載電流(峰值),，一般只需在高壓回路選用合適的限流電阻R即可。但在一些額定電流較大,、持續(xù)運行時間較長的直流高壓設(shè)備中,，為了避免電阻會增加設(shè)備在正常工作狀態(tài)下的功率損耗,，常不采用R而選用晶閘管、過流繼電器和快速熔斷器等元件作為過電流保護,。
高壓硅堆的修復(fù)使用
黑白電視機遇潮濕天氣在高壓包腔內(nèi)容易產(chǎn)生高壓打火的現(xiàn)象,。火花將高壓硅堆圓柱體表面擊刻成條條溝槽,，使硅堆在高電壓下,，外表面拉弧導(dǎo)通，顯像管第二陽極無高壓,，造成電視無光柵,。
這時，可把高壓硅堆圓柱表面的碳化物用刀刮除,，再用砂紙打磨干凈,，只要用表測量硅堆的性能仍屬好的，即可在它的表面涂敷一層環(huán)氧樹脂,，待固化后即可使用,。
高壓包在清除腔內(nèi)碳化物后可以使用。
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