磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞,，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子,；新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,，并以高能量轟擊靶表面,，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中,，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用，產(chǎn)生E（電場(chǎng)）×B（磁場(chǎng)）所指的方向漂移,，簡(jiǎn)稱(chēng)E×B漂移,，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場(chǎng),，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng),，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長(zhǎng)，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar來(lái)轟擊靶材,，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加,，二次電子的能量消耗殆盡,，逐漸遠(yuǎn)離靶表面,，并在電場(chǎng)E的作用下最終沉積在基片上。由于該電子的能量很低,，傳遞給基片的能量很小,，致使基片溫升較低。
磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過(guò)程,。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過(guò)程,，和靶原子碰撞，把部分動(dòng)量傳給靶原子,，此靶原子又和其他靶原子碰撞,，形成級(jí)聯(lián)過(guò)程。在這種級(jí)聯(lián)過(guò)程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量,，離開(kāi)靶被濺射出來(lái),。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：
多功能磁控濺射儀此系統(tǒng)包含大多數(shù)的真空薄膜鍍層技術(shù):熱蒸發(fā)(boat evaporation or crucible)，電子束蒸發(fā),，濺射沉積,。
這樣我們?cè)谝慌_(tái)設(shè)備上可以靈活運(yùn)用多種膜生長(zhǎng)技術(shù),針對(duì)各種不同大小和形狀的樣品,非常方便切換沉積模式。腔體的開(kāi)放式設(shè)計(jì),使得樣品大小從幾毫米到250毫米均可鍍層,。樣品夾具可以輕松固定多個(gè)樣品并同時(shí)鍍膜,。多功能磁控濺射儀此系統(tǒng)真空腔內(nèi)連接一個(gè)300mm寬的快速通道門(mén),可以非常方便和快速地切換樣品和靶源。這對(duì)于薄膜制備研究機(jī)構(gòu),面對(duì)多種材料增加或改變沉積方式,轉(zhuǎn)換起來(lái)非常方便,并沒(méi)有任何空間限制,。
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