當(dāng)今，賽米控的碳化硅功率模塊具有豐富的連接技術(shù)

當(dāng)今,，賽米控的碳化硅功率模塊具有豐富的連接技術(shù),，較寬的輸出功率范圍和zui高的效率等特征。如今已經(jīng)有四種不同封裝形式的混合和全碳化硅（SiC）功率模塊可訂購(gòu),，每種封裝形式都*特色,。

碳化硅功率模塊的優(yōu)點(diǎn)

賽米控的混合碳化硅功率模塊是一種易于實(shí)現(xiàn)減少功耗并且增加開(kāi)關(guān)頻率的方案。它們結(jié)合IGBT技術(shù)采用碳化硅肖特基二極管,。

全碳化硅功率模塊必須采用碳化硅（SiC）MOSFET開(kāi)關(guān)管以實(shí)現(xiàn)效率大于99%,，zui小的功耗以及zui大的輸出功率和功率密度。由于MOSFET具有體二極管,，所以在任何情況下都不需要外部反并聯(lián)二極管,，隨著效率的增加 優(yōu)勢(shì)將更加明顯。賽米控提供的功率模塊采用的供應(yīng)商的碳化硅芯片,，經(jīng)受了的賽米控的質(zhì)量和可靠性的檢測(cè),。

碳化硅功率模塊的關(guān)鍵特性

• 增加的開(kāi)關(guān)頻率使得濾波元件實(shí)現(xiàn)*化并且降低了成本
• 降低的功率損耗實(shí)現(xiàn)了效率的增加并且通過(guò)使用更小的冷卻設(shè)備降低了系統(tǒng)成本和尺寸
• 的供應(yīng)商的的碳化硅芯片
• 為您的應(yīng)用提供采用*化的芯片組的多種封裝和連接技術(shù)

碳化硅功率模塊的應(yīng)用

碳化硅功率模塊擁有的技術(shù)，用它搭建的系統(tǒng)具有技術(shù)上和商業(yè)上的優(yōu)勢(shì),。 隨著開(kāi)關(guān)頻率的增加，升壓應(yīng)用中的濾波元件choke電感或者電源,，UPS或者光伏逆變器負(fù)載端濾波器將大幅減小,。另外，功率損耗的降低使得在冷卻系統(tǒng)中可以使用更低功率的風(fēng)扇,，更小的散熱器或者將以前的強(qiáng)制風(fēng)冷應(yīng)用改為自然對(duì)流冷卻的形式,，節(jié)省了冷卻成本。zui終,，整個(gè)系統(tǒng)的效率將被zui大化以實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求,。

混合碳化硅模塊：
在高開(kāi)關(guān)頻率時(shí)效率高

• 混合碳化硅模塊結(jié)合快速開(kāi)關(guān)IGBT芯片采用碳化硅肖特基續(xù)流二極管
• 主要減小開(kāi)關(guān)損耗并且增加效率
• 將1200V,450A分別采用中等功率IGBT4以及碳化硅續(xù)流二極管和快速IGBT4以及碳化硅肖特基二極管的SKiM93做對(duì)比：
• 效率從96%增加到98.3%
• 輸出功率增加50%達(dá)到110KW

全碳化硅模塊：
在高頻下功率輸出增加150%

• 全碳化硅模塊采用一代的碳化硅MOSFET，帶或者不帶碳化硅肖特基續(xù)流二極管
• zui大程度的降低了開(kāi)關(guān)損耗并且由于MOSFET的特性在低負(fù)載條件下降低了靜態(tài)損耗
• 將1200V,20A采用低功率IGBT4以及碳化硅MOSFET帶或者不帶續(xù)流二極管的MiniSKiiP做比較：
• 效率增加超過(guò)99%
• 輸出功率增加超過(guò)100%