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技術(shù)文章

(FT838D外推,FT838NB內(nèi)置)USB 驅(qū)動IC

閱讀:2168          發(fā)布時間:2015-8-25

(FT838D外推,FT838NB內(nèi)置)USB 驅(qū)動IC  FMD(輝芒微)代理價格優(yōu)勢,,,!   

FT838D分為FT838D1,FT838D2

FT838NB分為FT838NB1,FT838NB2

FT838D特點:

1,、滿足能源之星2.0和5能效,;
2,、內(nèi)置NPN;
3,、批量輸出電壓精度電流精度±5%以內(nèi),;
4、保護功能齊,,可靠性好,;
5、滿足EN55022 ClassB EMI要求

FT838NB特點:

1,、滿足能源之星2.0和5能效,;
2、批量輸出電壓精度電流精度±5%以內(nèi),;
3,、保護功能齊,可靠性好,;

4,、滿足EN55022 ClassB EMI要求

FT838D的介紹:

、應(yīng)用:充電器,、適配器

FT830D(不帶) ft831d(帶線損補償)

FT832DB (帶線損及轉(zhuǎn)燈功能)

FT838D   (外置)

FT838NB (內(nèi)置)

FT830系列

二,、應(yīng)用:LED

FT830A/D 外置1-18w 封裝:sot23-5 精度:10% 效率:85%以上

FT838R 外置---和830a類似 封裝:sot23-5 方案還沒出來 10w

FT838RNA 內(nèi)置(三極管)—6w以下 封裝:sop-8 精度:5%

應(yīng)用于: (1-3w, 3-6w)led驅(qū)動電源   3w bom  精度比830高,,

FT838D 是FT831D的升版,,,改善噪音,,提高精度,,待機功率100mw

FT825 高pf+psr 過ce 隔離 60w以內(nèi) 工作效率88%以上,,pf值:0.95

應(yīng)用于:18w (燈管 t8/t5 天花燈)

應(yīng)用于:7-9 12w (球泡)   


FT838D的型號特點:

特點:

? 節(jié)能模式:脈沖頻率調(diào)制控制模式(PFM) 

? 內(nèi)置抖頻功能來改善 EMI性能 

? 每個開關(guān)周期的電流限制 

? VCC過壓保護(OVP) 

? 欠壓鎖定(UVLO) 

? 輸出短路保護 

? 內(nèi)置輸出線損補償 

? 輸入線電壓補償以提高輸出電流精度


FT838D的芯片版本與管腳定義:

芯片版本

線損補償比例

FT838D0

0%

FT838D1

3%

FT838D2

6%

FT838D3

9%


FT838D內(nèi)置輸出線損補償,用戶可根據(jù)實際輸出導(dǎo)線情況選擇合適的芯片版本,。

FT838NB是適用于5V1A的充電器設(shè)計方案,,適用于5W的充電器方案,電壓輸入范圍適用于世界各地,,精簡的尺寸為更小巧的設(shè)計打下了基礎(chǔ),,且為過五能效以及滿足能源之星2.0,其空載電壓也是小于100mA,,紋波也是控制在100mVp之下,,保護功能齊,可靠性好,,為充電器的穩(wěn)定性提供了保障,,延長了充電器的使用壽命。

1) 交流輸入電壓范圍 90-264Vac 50/60Hz

2) 直流輸出 5V/1.0A

3) 滿足能源之星2.0和5能效的要求并有足夠的余量(板端數(shù)據(jù))

(實測平均效率在PCB 板端73.5%以上,,能源之星2.0 標準是68.17%)

4) 滿足空載功耗小于100mW (實測70mW@230Vac)

5) 滿足EMI EN55022 Class B的要求,,并有足夠的余量

6) zui大的輸出紋波小于100mVP-P

7) 系統(tǒng)批量生產(chǎn)保證輸出電壓精度在±5%以內(nèi),輸出電流精度在±5% 以內(nèi)

8) 自恢復(fù)的短路保護和環(huán)路開路保護

FMD現(xiàn)推出了FT838MBD,、FT839NB,、FT839MB三種充電器方案

FT838MBD

1、率 ≥78.7% @115V/230V,;
2,、低待機功耗 <120mW;
3,、輸出紋波噪音低 <80mV,;
4、內(nèi)置MOS,,DIP8封裝,,IC溫升低,外圍元件少,,成本低,;
5、在五能效標準基礎(chǔ)上有充足的效率余量,;

FT839NB

1,、率,可滿足六能效標準,;
2,、低待機功耗<80mW@264Vac;
3、輸出CV/CC精度 <±5%,;
4,、內(nèi)置NPN,外圍元件少,,系統(tǒng)成本低,;
5、保護功能齊,,可靠性好,;
6,、滿足EN55022 ClassB EMI要求,;

FT839MB

1,、率,,可滿足六能效標準,;
2,、低待機功耗<80mW@264Vac,;
3,、輸出CV/CC精度 <±5%,;
4、內(nèi)置MOS,,SOP-8,,外圍元件少,系統(tǒng)成本低,;
5,、保護功能齊,可靠性好,;
6,、滿足EN55022 ClassB EMI要求;

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