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金貝爾分享：FT-IR用于碳化硅(SiC)研究、開發(fā)和質(zhì)量控制

時間：2022-4-1閱讀：2400

碳化硅（SiC）已成為工業(yè)電子領(lǐng)域最重要的寬禁帶半導(dǎo)體之一，由于其高熱導(dǎo)率,、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢,，特別是對于功率半導(dǎo)體器件,，碳化硅優(yōu)于硅，更受青睞,。

成熟的商用碳化硅器件如碳化硅肖特基二極管和MOSFETs（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）,，這些器件已應(yīng)用于鐵路、工業(yè)逆變器,、航空航天,、可再生能源風(fēng)力渦輪機或光伏發(fā)電，以及電動或混合動力汽車等領(lǐng)域,。企業(yè)和研究機構(gòu)仍在致力于SiC相關(guān)的研究開發(fā)工作,，如進一步發(fā)展的“綠色”項目，用于太陽能汽車的移動太陽能收集系統(tǒng)等,。

SiC與其他半導(dǎo)體材料的性能比較

在SiC材料的研究與開發(fā)中,，傅立葉變換紅外光譜技術(shù)（FT-IR）是一種簡單而有效的研究其各種性能的工具。它可以用于測定摻雜濃度,、外延層厚度或聲子光譜,，對晶體結(jié)構(gòu)和質(zhì)量提供有價值的信息。基于傅立葉變換紅外的光致發(fā)光光譜技術(shù)（FT-PL）可以提供額外的信息,，如能帶結(jié)構(gòu)和電荷載流子的細節(jié),。透射光譜技術(shù)可以研究半導(dǎo)體的帶隙、激子和其他電子特性,。此外,，碳化硅雜質(zhì)和缺陷分析也是材料開發(fā)和質(zhì)量控制的重要步驟。

布魯克（Bruker）公司的VERTEX和INVENIO系列研究級傅立葉變換紅外光譜系統(tǒng),，可以覆蓋從FIR到VIS/UV的寬光譜范圍,，擁有優(yōu)良的步進掃描技術(shù)和出色的性能,，可選真空光學(xué)臺，是上述許多應(yīng)用的分析系統(tǒng),。

布魯克公司幾十年以來一直支持半導(dǎo)體研發(fā),，并將為可再生能源和其他與可持續(xù)發(fā)展有關(guān)的領(lǐng)域做進一步貢獻，使世界變得更美好,。