一,、設備基本原理與特點

1.基本原理：
熱誘導化學氣相沉積(英語:chemical vapor deposition ,CVD)是用于各種電介質(zhì),半導體和金屬材料的保護涂層的沉積的有力方式,，無論是單晶,，多晶,，無定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳,，碳化硅,，氮化硼。通過使用合成前體,，涂層非常純凈并目滿足半導體工業(yè)的典型要求,，根據(jù)工藝參數(shù),，可以有多種層厚度，從單個或幾個原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護層或功能層,，以及厚度達100微米的單片部件,，甚至高達數(shù)毫米。

2.設備特點：
（1）采用臥式,、側開門結構,，裝、卸料精度高,，操作方便,；
（2）采用先進的控制技術，能精密控制MTS的流量和壓力,，爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定,，壓力波動范圍小,；
（3）溫度均勻性好,，平均溫度均勻性為±5℃；
（4）采用多通道沉積氣路,，流場均勻,，無沉積死角，沉積效果好,；
（5）全封閉沉積室,，密封效果好，抗污染能力強,；
（6）安全性能好,，采用HMI+PLC+PID程序控制，安全可靠,；
（7）對沉積產(chǎn)生的高腐蝕性尾氣,、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點粘性產(chǎn)物能進行有效處理,；
（8）多級高效尾氣處理系統(tǒng),，環(huán)境友好，能高效收集焦油及副產(chǎn)物,，易清理,；
（9）采用設計防腐蝕真空機組，持續(xù)工作時間長,，維修率極低,。

二、C2GR16-立式氣相沉積爐(主要技術參數(shù)：