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邁可諾技術(shù)有限公司

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    太陽(yáng)能電池特性分析與測(cè)試的幾種方法(二)

    2025-1-8 閱讀(255)

     

    太陽(yáng)能電池特性分析與測(cè)試的幾種方法(二)

     

    3.動(dòng)態(tài)伏安測(cè)量

    在動(dòng)態(tài)I-V測(cè)量中,測(cè)量各種電壓下的電流響應(yīng),,就像J-V掃描一樣,。但是,,在這種測(cè)量中,在記錄電流密度之前,,需要等待測(cè)量值穩(wěn)定一段時(shí)間,。

    這給出了太陽(yáng)能電池性能的非常精確的表示。事實(shí)上,,一項(xiàng)比較不同實(shí)驗(yàn)室對(duì)太陽(yáng)能電池測(cè)量的研究認(rèn)為,,這是表征鈣鈦礦太陽(yáng)能電池好的方法。然而,,完整的J-V掃描可能需要很長(zhǎng)時(shí)間來(lái)測(cè)量,尤其是如果太陽(yáng)能電池表現(xiàn)出動(dòng)態(tài)行為,。例如,,使用動(dòng)態(tài)I-V測(cè)量來(lái)測(cè)量鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的一條J-V曲線需要幾個(gè)小時(shí)。

    只有在絕對(duì)確定地測(cè)量太陽(yáng)能電池的J-V特性時(shí),,并且只有當(dāng)您測(cè)試的太陽(yáng)能電池在光照下(如鈣鈦礦太陽(yáng)能電池)表現(xiàn)出動(dòng)態(tài)特性時(shí),,才需要進(jìn)行這種測(cè)量。

     

    4.理想因子和光強(qiáng)研究

    研究太陽(yáng)能電池在不同光強(qiáng)下的性能可以幫助你識(shí)別這些太陽(yáng)能電池中不同的重組機(jī)制,。你可以通過(guò)確定太陽(yáng)能電池的理想系數(shù)來(lái)發(fā)現(xiàn)這一點(diǎn),。根據(jù)太陽(yáng)能電池理論,我們知道電流隨器件上施加的電壓而變化,,關(guān)系式如下:

     圖片1.png

    在這個(gè)等式中,,J是電流,V是電壓,,T是溫度,,n(nid)是理想因子。對(duì)于ideal"二極管,,可以假設(shè)n=1,。然而,通過(guò)找到理想因子nid,,可以獲得器件中發(fā)生的重組類(lèi)型的有價(jià)值信息,。

     

    太陽(yáng)能電池的理想系數(shù)將根據(jù)半導(dǎo)體中的主要復(fù)合機(jī)制而變化。復(fù)合可以發(fā)生在半導(dǎo)體帶隙內(nèi),,或者發(fā)生在吸收材料和電荷傳輸層之間的界面上,。此外,你可以將重組分為單分子或雙分子,。

     

    雙分子復(fù)合(rbi)與輻射復(fù)合相同,。它包括導(dǎo)帶中的一個(gè)電子與價(jià)帶中的一個(gè)空穴結(jié)合,從而產(chǎn)生一個(gè)光子,。然而,,你也可以有非輻射復(fù)合來(lái)捕獲吸收體內(nèi)的態(tài),,否則稱為Shockley-Read-Hall復(fù)合。這發(fā)生在帶隙(rSRH)內(nèi),,由于電子和空穴分開(kāi)移動(dòng),,也稱為單分子復(fù)合。與rSRH相比,,rbi的量不取決于材料的缺陷密度,,而是取決于半導(dǎo)體的光學(xué)特性。如果雙分子重組占優(yōu)勢(shì),,理想因子將接近1,,如果單分子重組占優(yōu)勢(shì),理想因子將接近2,。 

    圖片2.png

    你可以從黑暗的J-V曲線測(cè)量理想因子,。然而,這種測(cè)量不能解釋當(dāng)半導(dǎo)體被照射時(shí),,一些淺缺陷陷阱態(tài)被快速填充的事實(shí),。在這里,太陽(yáng)能電池工作得非常好,。

     

    另一種測(cè)量太陽(yáng)能電池理想系數(shù)的可靠方法是進(jìn)行光強(qiáng)度研究,。要做到這一點(diǎn),您可以在1個(gè)太陽(yáng)的不同分?jǐn)?shù)和/或倍數(shù)下測(cè)量太陽(yáng)能電池的J-V曲線,,VOC和光強(qiáng)度之間的線性關(guān)系將為您提供理想系數(shù),。其他器件指標(biāo)也可以讓您深入了解器件中占主導(dǎo)地位的重組機(jī)制。有趣的是,,最近的研究發(fā)現(xiàn),,不同的度量對(duì)光強(qiáng)有不同的依賴性。例如,,雖然有機(jī)和鈣鈦礦太陽(yáng)能電池顯示出JSC對(duì)光強(qiáng)的準(zhǔn)線性依賴性,,但是VOCFF的依賴性在高和低光強(qiáng)下是不同的。

     

    已經(jīng)使用各種模型來(lái)模擬這種光強(qiáng)依賴性,。通過(guò)將實(shí)驗(yàn)結(jié)果與這些理論模型進(jìn)行比較,,光強(qiáng)度研究表明了您的設(shè)備的許多情況,包括:

    ·如果您的設(shè)備中有明顯的分流或串聯(lián)電阻,。

    ·SC材料的陷阱密度,。

    ·是體復(fù)合還是界面復(fù)合占優(yōu)勢(shì)。

    為了進(jìn)行這些測(cè)量,,你的光強(qiáng)度源需要被校準(zhǔn)到多個(gè)太陽(yáng)值,。你需要用一個(gè)參考太陽(yáng)能電池來(lái)做這件事。對(duì)于LED光源太陽(yáng)能模擬器,,您可以通過(guò)改變光源的電源來(lái)改變?cè)O(shè)備上的入射光強(qiáng)度,?;蛘撸梢酝ㄟ^(guò)將光源徑向遠(yuǎn)離設(shè)備來(lái)進(jìn)一步降低功率輻照度,。尤其重要的是,,無(wú)論何時(shí)移動(dòng)設(shè)備測(cè)試設(shè)備,都要從外部檢查太陽(yáng)輻照度,。

     

     

     



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