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邁可諾技術(shù)有限公司
主營(yíng)產(chǎn)品： 美國(guó)Laurell勻膠機(jī),WS1000濕法刻蝕機(jī),Cargille光學(xué)凝膠,EDC-650顯影機(jī),NOVASCAN紫外臭氧清洗機(jī) |
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2019-4-9 閱讀(1903)
通過(guò)白光反射光譜（WLRS）和FR映射器繪制薄膜厚度
目標(biāo)：在大面積上表征薄膜厚度均勻性。
測(cè)量方法：采用Fr-Basic與Fr-Mapper相結(jié)合的方法,，在大面積的預(yù)定點(diǎn)上快速,、準(zhǔn)確地測(cè)量薄膜厚度。當(dāng)樣品固定在一個(gè)Fr-Mapper上時(shí),，所有的測(cè)量都用一個(gè)Fr-Basic進(jìn)行調(diào)節(jié),，使其在540-1000納米的光譜范圍內(nèi)工作,。反射探頭的有效光斑直徑為0.5毫米,。樣品是涂有SiO2（熱的或TEOS）和Si3N4（LPCVD）/SiO2（熱的）4英寸硅晶片,。在參考測(cè)量中，使用了高反射鍍鋁鏡（NT01-913-533,，Edmund光學(xué)）,。
結(jié)果：在圖1中,，顯示了硅晶片（藍(lán)色）上的掃描區(qū)域（紅色）。有意地將6x6cm2掃描區(qū)域的中心向左下角移動(dòng),。圖2a顯示了Teos SiO2的厚度值,。在兩個(gè)軸上以2毫米的步幅測(cè)量薄膜厚度（總共961次測(cè)量）。計(jì)算平均厚度為635.07nm,，標(biāo)準(zhǔn)差為4.24nm。小厚度為623.13nm,，大厚度為641.35nm,。在圖2b中，顯示了相同掃描區(qū)域熱生長(zhǎng)SiO2（濕氧化）的膜厚值,。在兩個(gè)軸上以2毫米的步幅測(cè)量厚度（總共961次測(cè)量）,。平均厚度為697.29nm，標(biāo)準(zhǔn)差為0.93nm,。小厚度為697.22nm,，大厚度為701.32nm。熱生長(zhǎng)SiO2的薄膜厚度變化明顯較小,，而且薄膜厚度梯度呈現(xiàn)徑向?qū)ΨQ(chēng)性,，而Teos薄膜則并非如此。圖3顯示了Si3N4/SiO2疊層中的膜厚值,。
結(jié)論：Fr-Mapper與Fr-Basic連接,，在單層和多層膜厚測(cè)繪中取得了成功。
Fr-Basic
