濺射鍍應用及工作原理

磁控濺射鍍膜設備：

    磁控濺射鍍膜設備是一種多功能,、率的鍍膜設備?？筛鶕脩粢笈?/span>

置旋轉磁控靶,、中頻孿生濺射靶、非平衡磁控濺射靶,、直流脈沖疊加式偏壓電源等,，

組態(tài)靈活、用途廣泛,，主要用于金屬或非金屬（塑料,、玻璃、陶瓷等）的工件鍍鋁,、

銅,、鉻、鈦金,、銀及不銹鋼等金屬膜或非金屬膜及滲金屬DLC膜,，所鍍膜層均勻,、

致密、附著力強等特點,，可廣泛用于家用電器,、鐘表、工藝美術品,、玩具,、車燈

反光罩以及儀器儀表等表面裝飾性鍍膜及工模具的功能涂層。

    a旋轉磁控濺射鍍膜機,；旋轉磁控濺射鍍膜技術,，是國內外的磁控濺射鍍膜技術，靶材利用率達到70～80%

以上,，基體鍍膜均勻,，色澤一致。

    b平面磁控濺射鍍膜機,；

    c中頻磁控濺射鍍膜機,；

    d射頻磁控濺射鍍膜機。

    可以在金屬或非金屬（塑料,、玻璃,、陶瓷）的工件鍍金屬鋁、銅,、鈦金,、鋯、銀,、不銹鋼及金屬反應物（氧化

物,、氮化物、炭化物）,、半導體金屬及反應物,。所鍍膜層均勻、致密,、附著力好等特點,。

一、    單室/雙室/多室磁控濺射鍍膜機

    該鍍膜機主要用于各種燈飾,、家電,、鍾表、玩具以及美術工藝等行業(yè),，在金屬或非金屬（塑料,、玻璃、陶瓷）等

制品鍍制鋁,、銅,、鉻,、鈦、鋯,、不銹鋼等系列裝飾性膜層,。

技術指標：

    真空室尺寸：可以根據用戶的要求設計成單室或雙室或多室

    極限壓力：8×10-4Pa

    恢復真空度時間：空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 3或8min（根據用戶要求定）

    工作真空度：10～1.0× 10-1Pa

    工藝氣體進入裝置：質量流量控制器（可選配自動壓強控制儀）

    轉動工件架形式：公 / 自轉工件架

    濺射源：矩形平面濺射源（1～4個）/柱狀濺射源（1個）/混合濺射源

    可以選配：基片烘烤裝置；反濺射清洗

二,、單室/雙室/多室磁控反應濺射鍍膜機

    該鍍膜機主要用于太陽能吸熱管所需要的鍍膜涂層（如Al—N/Al或Cu—C/1Cr18Ni9Ti）,；轎車后視鏡鍍膜

（藍玻）；裝飾仿金,、七彩鍍膜,；透明導電膜（ITO膜）；保護膜,。

技術指標：

    真空室尺寸：可以根據用戶的要求設計成單室或雙室或多室

    極限壓力：8×10-4Pa

    恢復真空度時間：空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 15min（根據用戶要求定）

    工作真空度：10～1.0× 10-1Pa

    工藝氣體進入裝置：質量流量控制器（可選配自動壓強控制儀）

    工作氣路：2路或3路

    轉動工件架形式：公 / 自轉工件架

    濺射源：矩形平面濺射源（1～4個）/柱狀濺射源（1個）/混合濺射源

 三、多功能鍍膜機

   設備基本配置：

              真空室

              工件轉動系統(tǒng)

              真空抽氣系統(tǒng)

              工作氣體供氣系統(tǒng)

   濺射系統(tǒng)：平面濺射/柱狀濺射/中頻濺射/射頻濺射系統(tǒng)

   轉動系統(tǒng)

   控制系統(tǒng)

   冷卻系統(tǒng)

技術指標：

    真空室尺寸：φ600×800 φ850×1000  φ1000×1200 φ1100×1500      可以根據用戶的要求設計成箱式

    極限壓力：8×10-4Pa

    恢復真空度時間：空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 15min（根據用戶要求定）

    工作真空度：10～1.0× 10-1Pa

    工藝氣體進入裝置：質量流量控制器（可選配自動壓強控制儀）

    工作氣路：2路或4路

    轉動工件架形式：公 / 自轉工件架

    濺射源：矩形平面濺射源（1～4個）/柱狀濺射源（1個）/中頻濺射源/射頻濺射源/混合濺射源

用途：本設備應用磁控濺射原理,，在真空環(huán)境下,，在玻璃、陶瓷等非金屬,；半導體,；金屬基體上制備各種金屬膜、合金膜,、反應化合物膜,、介質膜等等。

四,、實驗系列磁控濺射鍍膜機

  技術指標：

     真空室：φ450×400

     極限壓力：5×10-5Pa

     工作壓力：1～1.0× 10-2Pa

     真空系統(tǒng)主泵：渦輪分子泵

     陰極靶數(shù)量：2～5個

     工作氣體控制：質量流量控制器,，自動壓強控制儀

     工作氣路：2路或4路

     靶電源：直流磁控濺射源（10000W），

中頻電源（10000W）,，

射頻電源（2000W）,。

     工件轉動：行星式公自轉

     工件負偏壓：/

  性能特點：磁控靶數(shù)量多，靶材種類變化大,，各種參數(shù)變化范圍大,，所鍍制膜層有金屬、合金,、化合物,，可鍍制單層或多層膜。

五,、中頻磁控濺射鍍膜機

    中頻磁控濺射鍍膜技術是磁控技術另一新里程碑,是鍍制化合物（氧化物,、氮化物、碳化物）系膜的理想設備,，

*克服了靶打弧和中毒現(xiàn)象,并具濺射速率快,、沈積速率高等優(yōu)點,適合鍍制銦錫合金（ITO）,、氧化鋁（AL2O3）

、二氧化硅（SiO2）,、氧化鈦（TiO2）,、氧化鋯（ZrO2）、氮化硅（Si3N4）等,，配置多個靶及膜厚儀,可鍍制多種多層膜或合金膜層,。

六、射頻磁控濺射鍍膜機

具有濺射速率高,，能鍍任何材料（導體,、半導體和介質材料）。在低氣壓下等離子體放電,，膜層致密,，針孔少。

主要技術參數(shù) 

真空室尺寸：F500´450（mm）

極限真空度：優(yōu)于4´10- 4 Pa （3´10- 6Torr）   

濺   射   靶： F 100mm磁控濺射源三只濺

射功率： 直流5千瓦,，射頻2千瓦