目錄:孚光精儀（中國(guó)）有限公司>>表面微納測(cè)量>>納米壓痕儀>> FPSEM-STE3NIII族氮化物分子束外延系統(tǒng)
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更新時(shí)間：2024-12-16 09:29:17瀏覽次數(shù)：847評(píng)價(jià)
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這款III族氮化物分子束外延系統(tǒng)專業(yè)為A3N材料生長(zhǎng)設(shè)計(jì)的MBE設(shè)備,適合氨氣高溫下制備生長(zhǎng)A3N半導(dǎo)體材料,提供非常廣泛的可用生長(zhǎng)參數(shù)（有效氮通量,、襯底溫度,、生長(zhǎng)過(guò)程中的真空度）。III族氮化物分子束外延系統(tǒng)設(shè)計(jì)在襯底上提供*的溫度（>1200℃）以及在長(zhǎng)生長(zhǎng)周期中加熱階段的可靠工作,。利用氨作為活性氮源,，可以生長(zhǎng)出高質(zhì)量、厚的AlN/AlGaN緩沖層,。這項(xiàng)技術(shù)的結(jié)果是生長(zhǎng)出位錯(cuò)密度極低的活性層,，為分子束外延（MBE）創(chuàng)造了記錄,。
III族氮化物分子束外延系統(tǒng)系列有兩種（STE3N2）和三種（STE3N3）基本類型，配備有緩沖準(zhǔn)備室,。除了NH3注入器外，III族氮化物分子束外延系統(tǒng)還可能配備氮等離子體源（可選）,，用于生長(zhǎng)InGaN,、InAlN和InAlN的活性層藻類：MgIn與氨水混合。
III族氮化物分子束外延系統(tǒng)采用襯底支架和生長(zhǎng)操縱器的加熱臺(tái)的patent設(shè)計(jì),，用于III氮化物生長(zhǎng)的所有類型襯底（藍(lán)寶石,、SiC、Si,、AlN）提供了非常高的加熱均勻性,。允許最大襯底直徑100mm,用于基礎(chǔ)和應(yīng)用研發(fā)以及基于III型氮化物的高質(zhì)量外延片的試生產(chǎn)。
III族氮化物分子束外延系統(tǒng)主要特點(diǎn)：
•特殊的先進(jìn)設(shè)計(jì)和經(jīng)批準(zhǔn)的生長(zhǎng)反應(yīng)器,，在NH3環(huán)境和jiduan基質(zhì)溫度下提供關(guān)鍵系統(tǒng)組件的長(zhǎng)期可靠運(yùn)行
•超大液氮冷凍板,，用于有效的氨氣泵送，在高NH3負(fù)荷下提供連續(xù)生長(zhǎng)
•patent鋁源,，特殊設(shè)計(jì),，延長(zhǎng)使用壽命，在氨氣環(huán)境下提供超過(guò)2μm/h的AlN生長(zhǎng)速率,，無(wú)金屬蠕變
•能夠生長(zhǎng)質(zhì)量與在不匹配襯底上生長(zhǎng)的MOCVD層相當(dāng)?shù)?/span>GaN外延層
•在系統(tǒng)基本配置中對(duì)生長(zhǎng)過(guò)程進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)監(jiān)測(cè)的所有必要工具
•獲得patent的基板支架設(shè)計(jì),，在整個(gè)晶圓上提供高溫均勻性
•高溫生長(zhǎng)操縱器，在不低于1200°С的生長(zhǎng)溫度下提供高質(zhì)量AlN層的連續(xù)生長(zhǎng)
•在210-135 mm范圍內(nèi)改變“源-基"距離的能力,，以使用不同類型的電池和晶片OD優(yōu)化均勻性
•STE3N2雙腔型緊湊型“封裝外形"
•安裝期間的有效技術(shù)支持,，包括基本工藝轉(zhuǎn)移
•簡(jiǎn)單的系統(tǒng)操作和定期的技術(shù)維護(hù)
III族氮化物分子束外延系統(tǒng)主要選項(xiàng)：
•準(zhǔn)備室，帶有用于基板支架（7個(gè)）和脫氣臺(tái)的存儲(chǔ)盒,，原子氫源專用端口
•額外的滲出細(xì)胞（5,、15、25,、35,、60 cc的坩堝）
•附加PID調(diào)節(jié)器電源單元
•射頻等離子體氮源，帶有帶MFC的氮?dú)夤?yīng)管線
•SiH4氣體噴射器和帶MFC的氣體供應(yīng)管線
•Bayard-Alpert型束流監(jiān)測(cè)器（BFM）
•在渦輪泵中提供額外的原子基底,，以及分子泵制備
•帶電源裝置的鈦升華泵
•額外的基板支架,，包括用于非標(biāo)準(zhǔn)尺寸樣品的適配器
•系統(tǒng)運(yùn)行的起始材料（Ga、Al,、In,、NH3、N2,、Si,、Mg,、鈦金屬化藍(lán)寶石晶片等）
•基于相分離器的液氮供應(yīng)系統(tǒng)
•額外的備件和附件套件
III族氮化物分子束外延系統(tǒng)參數(shù)：
| 烘烤后生長(zhǎng)室的最終真空度，Torr | <5×10-11 |
| 最大基板直徑,，mm | 100 |
| 3″基板的厚度和成分不均勻度,，% | ±1 |
| 生長(zhǎng)機(jī)械手加熱元件的設(shè)計(jì) | PBN/PG/PBN |
| 最大基板表面溫度，℃ | 1200 |
| 生長(zhǎng)室壓力,，Torr： –基板溫度為970°С,，氨流量為400 sccm –基底溫度為1200°С，氨流量為100 sccm –基底溫度為500°С,，氨流量為1000 sccm | <1×10-5 <5×10-6 <1×10-5 |
| 生長(zhǎng)幾何學(xué) | 可調(diào),，“源到基片"距離135-210 mm |
| 集成分析 | RHEED、BFM（可選）,、RGA,、激光干涉儀、紅外高溫計(jì) |
| 制備室中基板退火的最高溫度,，不低于,，℃ | 1100 |
| 最大氨工作流量，sccm | 100 |
| 生長(zhǎng)室的烘烤溫度,，不低于,，℃ | 200，無(wú)熱點(diǎn)形成 |
| 工藝過(guò)程自動(dòng)化 | 操作員通過(guò)控制界面進(jìn)行手動(dòng)控制或通過(guò)配方執(zhí)行工藝 |
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