供應(yīng)
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二維異質(zhì)結(jié)材料(進(jìn)口) 詳細(xì)摘要:Substrate:
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言
Sapphire (c-cut)
Quartz (Silica)
TEM grids (please supply grids)
Thermal Oxide (SiO2/Si)
Polyethylene terephthalate – PET Substrates
Pick your own substrates (please define the substrate ty -
泡沫銅三維石墨烯 詳細(xì)摘要:三維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過(guò)化學(xué)氣相沉積高溫生長(zhǎng)石墨烯薄膜層,,借助泡沫基底的三維多孔骨架,,生長(zhǎng)成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò)。三維石墨烯具有體表面積大,,導(dǎo)電性佳,,質(zhì)量輕等特點(diǎn)。
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言 -
1*1cm-硅基底石墨烯薄膜(1*1cm) 詳細(xì)摘要:尺寸:1*1cm/5*5cm/10*10cm
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言
層數(shù):?jiǎn)螌?br />晶粒:?jiǎn)尉?多晶,,50~300um -
CVD石墨烯與CVD氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu)(4片裝) 詳細(xì)摘要:CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言 -
1*1cm-PET基底石墨烯薄膜 詳細(xì)摘要:形狀:可任意裁剪
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言
尺寸:1*1cm/5*5cm/10*10cm
層數(shù):?jiǎn)螌?br />晶粒:?jiǎn)尉?多晶,,50~300um -
CVD石墨烯與CVD氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu)(8片裝) 詳細(xì)摘要:CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言 -
二硫化鉬二硒化鎢 MoS2WSe2異質(zhì)結(jié) 詳細(xì)摘要:兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱(chēng)為異質(zhì)結(jié),低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料
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1*1cm-紫銅基石墨烯薄膜 詳細(xì)摘要:形狀:可任意裁剪
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尺寸:1*1cm
襯底:紫銅
層數(shù):?jiǎn)螌?br />晶粒:?jiǎn)尉?多晶,,50~300um -
>75*75um-2DNext大面積機(jī)械剝離單層材料(WSe2, WS2) 詳細(xì)摘要:德國(guó)2DNext大面積機(jī)械剝離單層材料(WSe2, WS2, MoS2)尺寸>75*75um
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言
尺寸:>75*75um
德國(guó)2D Next主要提供機(jī)械剝離的超大尺寸二維材料,,可以提供在眾多基底上的轉(zhuǎn)移技術(shù),如二氧化硅,,藍(lán)寶石,,CVD金剛石等,可用材料包括MoS2,,WS2,,WS -
1*1'' 單層-二氧化硅基底石墨烯 詳細(xì)摘要:二氧化硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on SiO2
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底 -
5*5cm-銅基石墨烯薄膜 詳細(xì)摘要:形狀:可任意裁剪
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尺寸:1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm
層數(shù):?jiǎn)螌?br />晶粒:?jiǎn)尉?多晶,50~300um -
1*1'' 單層-硅基底石墨烯(1*1'' 單層) 詳細(xì)摘要:硅基底石墨烯(1*1'' 單層) Graphene on Si
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底 -
1*1cm單層-硅基底石墨烯(1*1cm單層) 詳細(xì)摘要:硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on Si
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底 -
1*1cm單層-二氧化硅基底石墨烯 詳細(xì)摘要:二氧化硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on SiO2
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底 -
鈣鈦礦材料 DPP-DTT 詳細(xì)摘要:Luminosyn™ DPP-DTT (also referred to as PDPP2T-TT-OD) is now available featuring
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言 -
1*1''-三維石墨烯泡沫(1*1英寸) 詳細(xì)摘要:三維石墨烯泡沫(1*1英寸)三維獨(dú)立石墨烯泡沫 3D Graphene Foam-3D Freestanding Graphene Foam
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尺寸:11*1英寸
熱釋放帶溫度:120 °C -
鈣鈦礦材料 ITIC (n-type acceptor) 詳細(xì)摘要:ITIC represents the start of a new generation of electron-accepting small molecules for organic photovoltaic (OPV) applications.
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1*1cm-三維石墨烯泡沫(1*1厘米) 詳細(xì)摘要:三維石墨烯泡沫(1*1厘米)-三維獨(dú)立石墨烯泡沫 3D Graphene Foam-3D Freestanding Graphene Foam
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尺寸:1*1厘米
熱釋放帶溫度:120 °C -
鈣鈦礦材料 PCE12 (PBDB-T) 詳細(xì)摘要:High purity - PBDB-T is purified by Soxhlet extraction with methanol, hexane and chlorobenzene under an argon atmosphere.
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鈣鈦礦材料 TQ1 詳細(xì)摘要:High molecular weight with high solubility and high purity - TQ1 polymer is purified by soxhlet extraction with methanol, hexane and chloroform under an argon atmosphere - polymer at its pure best
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