供應(yīng)
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CVD轉(zhuǎn)移生長MX2單分子膜 詳細(xì)摘要:Substrate:
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言
Sapphire (c-cut)
Quartz (Silica)
TEM grids (please supply grids)
Thermal Oxide (SiO2/Si)
Polyethylene terephthalate – PET Substrates -
機(jī)械剝離單層二硒化鎢薄膜 詳細(xì)摘要:Monolayer tungsten diselenide (1H-WSe?) flakes have been exfoliated from bulk tungsten diselenide (2H-WSe?) onto 90nm thermal oxide and measures from 5micron up to 40micron in size.
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言 -
機(jī)械剝離單層二硫化鎢薄膜 詳細(xì)摘要:Monolayer tungsten disulfide (1H-WS?) flakes have been exfoliated from bulk tungsten disulfide (2H-WS?) onto 90nm thermal oxide and measures from 5micron up to 40micron in size.
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言 -
BP500MGP-巨納黑磷粉末(500mg) 詳細(xì)摘要:單晶顆粒樣品: 大尺寸 > 1mm
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純度: > 99.998%
包裝: 真空或氬氣等惰性氣氛保護(hù)玻璃瓶
產(chǎn)品規(guī)格:粉末 -
機(jī)械剝離單層二硒化錸薄膜 詳細(xì)摘要:Monolayer Rhenium diselenide flakes have been exfoliated from bulk ReSe? crystals onto 90nm thermal oxide and measures from 5micron up to 40micron in size.
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言 -
機(jī)械剝離單層二硒化鉬薄膜 詳細(xì)摘要:Monolayer molybdenum diselenide (1H-MoSe?) flakes have been exfoliated from bulk molybdenum diselenide (2H-MoSe?) onto 90nm thermal oxide and measures from 5micron up to 40micron in size.
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言 -
機(jī)械剝離單層二硫化鉬薄膜 詳細(xì)摘要:Monolayer molybdenum disulfide (1H-MoS?) flakes have been exfoliated from bulk molybdenum disulfide (2H-MoS?) onto 90nm thermal oxide and measures from 5 micron up to 40 micron in size.
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BP10000-黑磷晶體(10g) 詳細(xì)摘要:黑磷晶體(10g)
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規(guī)格:10g
純度:~99.998
包裝:一次性試劑裝或氬氣包裝 -
ZIF-67-金屬有機(jī)骨架化合物(ZIF-67) 詳細(xì)摘要:1. 制備方法
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A型:溶劑熱法
B型:溶劑熱法+干燥150攝氏度(8小時(shí))
2. 表征
A型:
形態(tài):金屬有機(jī)骨架(MOFs)
外觀:粉紫色
粒徑:150-400 nm
BET比表面積(m2/g):~316(參考值)
質(zhì)量:5g
B型 -
2D Semiconductor-銅基石墨烯薄膜(美國) 詳細(xì)摘要:CVD Graphene sheets have been deposited onto 50 micron thick Cu foils using modified chemical vapor technique. In our method, we have paid close attention to engineering defect density and single doma
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2D Semiconductor-石墨烯泡沫鎳 詳細(xì)摘要:The 3D Graphene Foam is deposited comformably onto Nickel foam foils by chemical vapor deposition (CVD) process.
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自支撐三維石墨烯(已去鎳)超輕 詳細(xì)摘要:材料簡介:
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三維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過化學(xué)氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層,,借助泡沫基底的三維多孔骨架,生長成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò),。三維石墨烯具有體表面積大,,導(dǎo)電性佳,質(zhì)量輕等特點(diǎn),。
應(yīng)用領(lǐng)域:
1)適用于超級(jí)電容,、鋰離子電 -
自支撐三維石墨烯(已去鎳)(1cm*1cm) 詳細(xì)摘要:維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過化學(xué)氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層,,借助泡沫基底的三維多孔骨架,生長成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò),。三維石墨烯具有體表面積大,,導(dǎo)電性佳,質(zhì)量輕等特點(diǎn),。
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言 -
MOFs-金屬有機(jī)骨架材料(MOFs) 詳細(xì)摘要:金屬有機(jī)骨架材料(MOFs)是近十年來發(fā)展迅速的一種配位聚合物,,具有三維的孔結(jié)構(gòu),一般以金屬離子為連接點(diǎn),,有機(jī)配體位支撐構(gòu)成空間3D延伸,,系沸石和碳納米管之外的又一類重要的新型多孔材料,在催化,,儲(chǔ)能和分離中都有廣泛應(yīng)用,。
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二維異質(zhì)結(jié)材料(進(jìn)口) 詳細(xì)摘要:Substrate:
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Sapphire (c-cut)
Quartz (Silica)
TEM grids (please supply grids)
Thermal Oxide (SiO2/Si)
Polyethylene terephthalate – PET Substrates
Pick your own substrates (please define the substrate ty -
泡沫銅三維石墨烯 詳細(xì)摘要:三維石墨烯網(wǎng)絡(luò)是在泡沫金屬基底上通過化學(xué)氣相沉積高溫生長石墨烯薄膜層,借助泡沫基底的三維多孔骨架,,生長成石墨烯的三維網(wǎng)絡(luò),。三維石墨烯具有體表面積大,導(dǎo)電性佳,,質(zhì)量輕等特點(diǎn),。
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1*1cm-硅基底石墨烯薄膜(1*1cm) 詳細(xì)摘要:尺寸:1*1cm/5*5cm/10*10cm
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層數(shù):單層
晶粒:單晶/多晶,50~300um -
CVD石墨烯與CVD氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu)(4片裝) 詳細(xì)摘要:CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer
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1*1cm-PET基底石墨烯薄膜 詳細(xì)摘要:形狀:可任意裁剪
所在地:上海上海市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言
尺寸:1*1cm/5*5cm/10*10cm
層數(shù):單層
晶粒:單晶/多晶,,50~300um -
CVD石墨烯與CVD氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu)(8片裝) 詳細(xì)摘要:CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer
所在地:江蘇泰州市 更新時(shí)間:2025-03-30 在線留言