老化-IEC 60068電子電工產(chǎn)品模擬太陽輻射環(huán)境試驗方法解讀

時間：2021-8-6 閱讀：2253

IEC 60068-2-5:2010《Environmental testing - Part 2-5: Test Sa: Simulated solar radiation at ground leveland guidance for solar radiation testing》是國際電工委員會的一個環(huán)境測試試驗方法,。目前電子行業(yè)在廣泛引用這個標準，對材料或產(chǎn)品進行耐候老化測試,，其中包括空調(diào),、洗衣機、電腦,、電視,、手機、耳機,、廚衛(wèi)電器,、太陽能等電工電子產(chǎn)品。

很多廣泛使用的國標也采用或引用了該標準,，如GB/T 2423.24—2013《環(huán)境試驗第2 部分：試驗方法試驗Sa: 模擬地面上的太陽輻射及其試驗導則》,。

該標準廣泛用于電子電工產(chǎn)品的耐候性測試，主要利用氙燈光源,，來加速模擬材料和產(chǎn)品在大氣環(huán)境下,，因光照等因素的作用而產(chǎn)生的破壞。

1 光譜和輻照度

1 . 1 光譜的定義

該標準的4.3節(jié)指出光譜能量分布參照CIE 85,具體見表1,。波長從280~3000nm總的輻照度為1120W/m2,。

光譜能量分布圖

表1 光譜能量分布圖

在執(zhí)行標準時，應使用日光過濾片來過濾氙燈光源,，實現(xiàn)該標準對光源的要求,。日光過濾片是用來模擬戶外直射太陽光常用的氙燈過濾系統(tǒng)，經(jīng)日光過濾片過濾的氙燈光源,，接近實際的戶外光照環(huán)境,，其光譜與太陽光光譜之間的比較如圖1所示。因為780nm或800nm以上的紅外光譜對于高分子材料的作用僅為熱效應,，在有黑板溫度控制的條件下,，紅外光譜往往不被考慮。因此,，新的光譜曲線一般僅描述紫外和可見光部分,。

圖1 帶有日光過濾片的Q -SUN氙燈光譜和CIE 85標準太陽光光譜比較

1 . 2 輻照度設定

該標準的4.2節(jié)對試驗箱中光譜的闡述為：地球表面的輻照度受太陽常數(shù)及大氣層對其衰減和散射的影響，參照CIE 85 , 輻照度為1120 W/m2,。在標準的5.8節(jié)“試驗設備"中也指出,，輻照度應為1120 W/m2(1±10%)，光譜能量分布參照表1,。因此該標準對輻照度的設定采用的是總輻照度的設定,，即全光譜上的輻照度為1120W/m2。這種輻照度的定義沒有考慮到不同波段光線對材料老化的差異性,，即波長越短對材料的破壞力越強,。新的標準中大多采用了點控制的方法,，即采用340 nm或420 nm點控制，如 ISO 4892-2: 2013和ASTM G155— 2013,?？紤]到 IEC 60068-2-5:2010模擬的是戶外直射太陽光，建議使用340nm點控制,，推薦Daylight-B/B 日光過濾片,，而輻照度設定為0.60W/m2@340nm。

2 溫度

標準的5.2節(jié)指出,，箱體內(nèi)的溫度,，不管是光照階段還是黑暗階段,都應符合程序A ,B或C的要求。而且指出,，在光照階段,，箱體內(nèi)的溫度應以1K/min的速率上升或下降。

標準的7.1節(jié)又指出,，在程序A 中,，箱體內(nèi)的溫度應在光照階段之前2h開始升溫。在程序A和B的黑暗階段,，箱體內(nèi)的溫度應以大約1K/min的速率下降,，并最終保持在25℃。

程序A的一個循環(huán)是24h,包括8h光照和16h黑暗,，重復進行,。程序B的一個循環(huán)也是24h ,包括20h光照和4h黑暗,，重復進行,。程序C是持續(xù)光照。每個程序的光照時間,，黑暗時間,，溫度要求如圖2 所示。

上述5.2節(jié)和7.1節(jié)中對溫度上升或下降速率的描述,，與圖2 中溫度與時間的描述不符,。如果按照5.2節(jié)和7.1節(jié)的要求，則在光照階段直接設置為40°C,，在黑暗階段直接設置為25°C即可,。

如果是按照圖2中溫度上升、下降與時間的關(guān)系,，在Q-SUN氙燈老化試驗箱中則可按圖3的要求對溫度進行設定,。Q-SUN氙燈老化試驗箱中具體的溫度與時間的關(guān)系見表2(Procedure A)、表3(Procedure B)和表4(Procedure C),。

測試程序A,B和C