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碳化硅半絕緣電阻率測(cè)試儀
- 公司名稱 九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/6/28 10:10:37
- 訪問(wèn)次數(shù) 11
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晶圓電阻率測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀,，渦流法低電阻率分析儀,，晶錠電阻率分析儀，遷移率測(cè)試儀,，少子壽命測(cè)試儀
| 價(jià)格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,電子/電池,航空航天,電氣,綜合 |
|---|
半導(dǎo)體材料根據(jù)時(shí)間先后可以分為三代,。第一代為鍺、硅等普通單質(zhì)材料,，其特點(diǎn)為開(kāi)關(guān)便捷,，一般多用于集成電路。第二代為砷化鎵,、磷化銦等化合物半導(dǎo)體,，主要用于發(fā)光及通訊材料。第三代半導(dǎo)體主要包括碳化硅,、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體和金剛石等特殊單質(zhì),。憑借優(yōu)秀的物理化學(xué)性質(zhì)，碳化硅材料在功率,、射頻器件領(lǐng)域逐漸開(kāi)啟應(yīng)用,。
第三代半導(dǎo)體耐壓性較好，是大功率器件的理想材料,。第三代半導(dǎo)體主要是碳化硅和氮化鎵材料,，SiC的禁帶寬度為3.2eV，GaN的禁帶寬度為3.4eV,，遠(yuǎn)超過(guò)Si的禁帶寬度1.12eV,。由于第三代半導(dǎo)體普遍帶隙較寬，因此耐壓、耐熱性較好,，常用于大功率器件,。其中碳化硅已逐漸走入大規(guī)模運(yùn)用，在功率器件領(lǐng)域,，碳化硅二極管,、MOSFET已經(jīng)開(kāi)始商業(yè)化應(yīng)用。
按照電學(xué)性能的不同,，碳化硅襯底可分為半絕緣型碳化硅襯底和導(dǎo)電型碳化硅襯底兩類,，這兩類襯底經(jīng)外延生長(zhǎng)后分明用于制造功率器件、射頻器件等分立器件,。其中,，半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造氮化鎵射頻器件、光電器件等,。通過(guò)在半絕緣型碳化硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵外延層,，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進(jìn)一步制成HEMT等氮化鎵射頻器件,。導(dǎo)電型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造功率器件,。與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上,，需在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層得到碳化硅外延片,，并在外延層上制造肖特基二極管、MOSFET,、IGBT等功率器件,。
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