中圖儀器3D輪廓儀基于白光干涉原理，以3D非接觸方式,，測量分析樣品表面形貌的關(guān)鍵參數(shù)和尺寸,。可測各類從超光滑到粗糙,、低反射率到高反射率的物體表面,，從納米到微米級別工件的粗糙度、平整度,、微觀幾何輪廓,、曲率等。

SuperViewW中圖儀器3D輪廓儀具有測量精度高,、操作便捷,、功能齊全、測量參數(shù)涵蓋面廣的優(yōu)點(diǎn),，測量單個精細(xì)器件的過程用時短,，確保了高款率檢測。白光干涉儀的特殊光源模式,，可以廣泛適用于從光滑到粗糙等各種精細(xì)器件表面的測量,。

產(chǎn)品特點(diǎn)

1、干涉物鏡

不通倍率的鏡頭,，適應(yīng)于從超光滑到粗糙度各種表面類型的樣品,。

2、雙通道氣浮隔振系統(tǒng)

外接氣源和加壓裝置直接充氣的雙通道氣浮隔振系統(tǒng),，可有效隔離地面?zhèn)鲗?dǎo)的振動噪聲,。

3、聲波隔振防護(hù)

儀器外殼與內(nèi)部運(yùn)動機(jī)構(gòu)采用了分離式設(shè)計(jì),，有效隔離了聲波振動的傳導(dǎo),。

4、水平調(diào)整裝置

傾斜調(diào)整旋鈕,，調(diào)整條紋寬度，提高3D圖像的重建精度,。

5,、便攜式操縱桿

采用人體工程學(xué)設(shè)計(jì)，集成了XYZ三軸位移和速度,、光源亮度的自動控制,，并配有緊急停止按鈕。

6,、真空吸附臺

專為半導(dǎo)體晶圓片定制的真空吸附臺,，確保樣品在測量過程中不受空氣中微弱氣流擾動的影像,。

7、3D重建算法

自動濾除樣品表面噪點(diǎn),，在硬件系統(tǒng)的配合下,，測量精度可達(dá)亞納米級別。

自研3D顯微測量軟件平臺Xtremevision Pro

Xtremevision Pro

全自主開發(fā)的第二代顯微3D測量軟件平臺,，集成了圖像掃描,、3D分析、影像測量,、自動化測量等四個大的功能模塊,，能夠適配中圖W系列、VT系列,、WT系列所有3D儀器機(jī)型,，可自主識別機(jī)型種類，二合一機(jī)型可在白光干涉和共聚焦顯微鏡中做到自動切換掃描模式,。

Xtremevision Pro 移植了中圖在影像閃測領(lǐng)域的成功經(jīng)驗(yàn),，重構(gòu)了顯微影像測量功能，可針對微觀平面輪廓尺寸的點(diǎn),、線間的距離,、角度、半徑等參數(shù)進(jìn)行直接測量和自動匹配測量,。

自動化mark點(diǎn)識別坐標(biāo)定位自動化功能

Mark點(diǎn)影像識別自動坐標(biāo)位置校正,，多區(qū)域坐標(biāo)點(diǎn)自動定位測量與分析，可組合式完成粗糙度,、輪廓尺寸的批量自動化測量,。

自動拼接功能

支持方形、圓形,、環(huán)形和螺旋形式的自動拼接測量功能,，配合影像導(dǎo)航功能，可自定義測量區(qū)域,，支持?jǐn)?shù)千張圖像的無縫拼接測量,。

應(yīng)用領(lǐng)域圖片

可對各種產(chǎn)品、部件和材料表面的粗糙度,、波紋度,、面形輪廓、表面缺陷,、磨損情況,、腐蝕情況、孔隙間隙,、臺階高度,、彎曲變形情況,、加工情況等表面形貌特征進(jìn)行測量和分析。

晶圓應(yīng)用案例

硅晶圓的粗糙度檢測

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,，硅晶圓的制備質(zhì)量直接關(guān)系著晶圓IC芯片的制造質(zhì)量,，而硅晶圓的制備，要經(jīng)過十?dāng)?shù)道工序,，才能將一根硅棒制成一片片光滑如鏡面的拋光硅晶圓,，如下圖所示，提取表面一區(qū)域進(jìn)行掃描成像,。

如圖,，制備好的拋光硅晶圓表面輪廓起伏已在數(shù)納米以內(nèi)，其表面粗糙度在0.5nm左右,，由于其粗糙度精度已到亞納米量級,，而在此量級上，接觸式輪廓儀和一般的非接觸式儀器均無法滿足檢測要求,，只有結(jié)合了光學(xué)干涉原理和精密掃描模塊的光學(xué)3D表面輪廓儀才適用,。

晶圓IC的輪廓檢測

晶圓IC的制造過程可簡單看作是將光罩上的電路圖通過UV蝕刻到鍍膜和感光層后的硅晶圓上這一過程，其中由于光罩中電路結(jié)構(gòu)尺寸小,，任何微小的粘附異物和瑕疵均會導(dǎo)致制造的晶圓IC表面存在缺陷,，因此必須對光罩和晶圓IC的表面輪廓進(jìn)行檢測。如圖是一塊蝕刻后的晶圓IC,，使用光學(xué)3D表面輪廓儀對其中一個微結(jié)構(gòu)掃描還原3D圖像,，并測量其輪廓尺寸。

晶圓IC減薄后的粗糙度檢測

在硅晶圓的蝕刻完成后,，根據(jù)不同的應(yīng)用需求,，需要對制備好的晶圓IC的背面進(jìn)行不同程度的減薄處理，在這個過程中,，需要對減薄后的晶圓IC背面的表面粗糙度進(jìn)行監(jiān)控以滿足后續(xù)的應(yīng)用要求,。在減薄工序中，晶圓IC的背面要經(jīng)過粗磨和細(xì)磨兩道磨削工序,，下圖是粗磨后的晶圓IC背面,，選取其中區(qū)域進(jìn)行成像分析。

如圖,，粗磨后的表面存在明顯的磨削紋路,，而3D圖像顯示在左下部分存在一處凹坑瑕疵，沿垂直紋理方向提取剖面輪廓并經(jīng)過該瑕疵,，在剖面輪廓曲線里可看到該處瑕疵zui大起伏在2.4um左右，而磨削紋理起伏zui大在1um范圍內(nèi)波動,，并獲取該區(qū)域的面粗糙度Sa為216nm,，剖面線的粗糙度Ra為241nm,。

而在經(jīng)過細(xì)磨后，晶圓IC背面的磨削紋理已基本看不出,，選取表面區(qū)域進(jìn)行成像分析,。

如圖可知，在經(jīng)過細(xì)磨之后,，晶圓IC背面的磨削紋理輪廓起伏已經(jīng)降到36nm附近,，其表面粗糙度也已經(jīng)從200多nm直降到6nm左右。

部分技術(shù)指標(biāo)

懇請注意：因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要,，本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會根據(jù)實(shí)際情況隨時更新或修改,，恕不另行通知，不便之處敬請諒解,。

如有疑問或需要更多詳細(xì)信息,，請隨時聯(lián)系中圖儀器咨詢。