硅酸鎵鑭 (La3Ga5SiO14,LGS)晶體2
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- 公司名稱 聯合光科技(北京)有限公司
- 品牌
- 型號
- 產地
- 廠商性質 生產廠家
- 更新時間 2025/2/25 22:58:38
- 訪問次數 49
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- 長度 Dia.30 x 65mm
- 消光比 >350:1
- 透過畸變 λ/6
- 整體透過率 >98%
- 1/4波電壓 3.2 kv
- 光潔度 20/10(膜后40/20)
- 鍍膜 AR/AR @ 1064nm (R<>
- 電容 9 pF
- 晶體尺寸 8 x 8 x 45 mm
- 抗光傷 600MW/cm2 10ns 10Hz 1064nm
- 外殼尺寸 Dia.30-65 mm
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硅酸鎵鑭 (La3Ga5SiO14,LGS)晶體
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摻釹釔鋁石榴石晶體(Nd:YAG)
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摻釹釩酸釔晶體(Nd:YVO4)
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鍵合晶體
硅酸鎵鑭晶體(LGS晶體)是一種性能優(yōu)良的多功能晶體,,具有很高損傷閾值的光學非線性材料。電光系數高,,電光性能優(yōu)良,,屬于三方晶系結構,熱膨脹系數較小,,晶體的熱膨脹各向異性較弱,,高溫的溫度穩(wěn)定性好(優(yōu)于石英晶體),具有的兩個獨立電光系數與BBO晶體的系數相當,,電光系數值在很大的溫度范圍內保持穩(wěn)定,,該晶體機械性能好、無解離性,、不潮解,、物理化學性質穩(wěn)定,,具有非常好的綜合性能,。
LGS晶體具有寬的透過波段,從紫外242nm-3550nm都具有很高的透過率,。LGS 晶體采用提拉法生長,,熔點是1470 ℃ ,在生長溫度至室溫沒有相變點,生長周期短,,可以生長出較大尺寸晶體,,有旋光性,但比石英小,。
可應用于電光調制,、電光調Q。LGS電光開關可用于高重復頻率,,高輸出能量,,應用范圍廣。
LGS晶體具有寬的透過波段,從紫外242nm-3550nm都具有很高的透過率,。LGS 晶體采用提拉法生長,,熔點是1470 ℃ ,在生長溫度至室溫沒有相變點,生長周期短,,可以生長出較大尺寸晶體,,有旋光性,但比石英小,。
可應用于電光調制,、電光調Q。LGS電光開關可用于高重復頻率,,高輸出能量,,應用范圍廣。