德國(guó)Hellma CeBr3晶體材料發(fā)射光譜峰值在370 nm

德國(guó)Hellma GmbH & Co. KG是一家成立于1922年的公司，由Karl Mayer創(chuàng)立,。Hellma最初以生產(chǎn)簡(jiǎn)單的光學(xué)玻璃比色皿起家,，這些產(chǎn)品主要用于旋光、比色和分光光度測(cè)試,。隨著科學(xué)行業(yè)的興旺,，特別是五十年代,，比色測(cè)試成為了定性分析和定量分析的常用方法，Hellma也積極開發(fā)和擴(kuò)展其產(chǎn)品系列以滿足新型比色皿的迅速增長(zhǎng)需求,。

主要產(chǎn)品：

Hellma比色皿

Hellma晶體材料

Hellma光學(xué)材料

Hellma光學(xué)玻璃

Hellma光學(xué)元件

Hellma晶體材料CeBr3

高分辨率：CeBr3晶體以其高分辨率而為人熟知,，在高能物理、核醫(yī)學(xué),、石油勘探,、環(huán)境監(jiān)測(cè)、安全檢查等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用,。

快速衰減時(shí)間：CeBr3晶體的衰減時(shí)間快速,，這使得它在需要快速響應(yīng)的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

低本底輻射：CeBr3晶體在1500-2200 keV能量范圍內(nèi),，自身本底輻射低于0.001c/s/cc,，這為低本底輻射應(yīng)用提供了優(yōu)勢(shì)。

高密度：CeBr3晶體的密度為5.18 g/cm3,，略高于LaBr3:5%Ce的5.07 g/cm3,，這與其較大的有效原子數(shù)（Zeff）有關(guān)，分別為45.9和45.3,。

發(fā)射光譜特性：CeBr3晶體的Ce3?發(fā)射光譜峰值在370 nm,，與LaBr3:5%Ce的360 nm相比，略有不同,。

自吸收和再發(fā)射：CeBr3晶體的發(fā)射光譜會(huì)因樣本厚度的不同而有所變化,，這是由于閃爍自吸收和再發(fā)射過程引起的。

高能量分辨率：CeBr3晶體在662 keV的能量分辨率約為4%,，主要由閃爍自吸收和再發(fā)射過程限制,，這導(dǎo)致與LaBr3:5%Ce相比，光產(chǎn)量（LY）較低,。

高檢測(cè)靈敏度：在低于3 MeV的能量下,，CeBr3的平均檢測(cè)靈敏度比LaBr3:5%Ce高約5倍，對(duì)于40K的檢測(cè)高達(dá)16倍,。

抗輻射能力：CeBr3能夠承受1012 protons/cm2的質(zhì)子通量（>1 Mrad Siequivalent dose）,，適用于空間應(yīng)用。

環(huán)境穩(wěn)定性：CeBr3晶體在空氣中易潮解,、易氧化,，需要避光密封保存，生長(zhǎng)過程中易分解,，造成晶體開裂,、透明度下降，對(duì)生長(zhǎng)環(huán)境、技術(shù)工藝要求較高,。

摻雜性能提升：CeBr3晶體可以通過摻雜其他元素如鍶（Sr）來提高性能,，0.2%的鍶摻雜量較為合適,，可以兼顧性能與生長(zhǎng)要求,。

型號(hào)示例：

Hellma晶體材料CeBr3

Hellma晶體材料Yb3+

Hellma晶體材料BaF2

Hellma晶體材料CaF2

Hellma晶體材料LBC:Ce

Hellma晶體材料CaF2:Eu

Hellma晶體材料CVD Zinc Sulfide

Hellma晶體材料Cleartran

Hellma晶體材料CVD Zinc Selenide

德國(guó)Hellma CeBr3晶體材料發(fā)射光譜峰值在370 nm