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CY-RTP1000-Φ200-300-T 鹵素?zé)鬜TP退火爐

參考價(jià) 15000
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 鄭州成越科學(xué)儀器有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào) CY-RTP1000-Φ200-300-T
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2024/12/18 10:50:13
  • 訪問(wèn)次數(shù) 32

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鄭州成越科學(xué)儀器有限公司位于鄭州市*開(kāi)發(fā)區(qū),,是一家專業(yè)從事材料制備設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的高科技公司,。重點(diǎn)專注于CVD石墨烯制備設(shè)備,、熒光粉燒結(jié)設(shè)備、氧化鋯生物陶瓷燒結(jié),、納米材料制備,、電池材料制備、陶瓷材料的微波燒結(jié),、稀有金屬的區(qū)域提純等研究發(fā)展方向,。

鄭州成越科學(xué)儀器有限公司的研發(fā)團(tuán)隊(duì)?wèi){借自身在熱處理技術(shù)方面的專業(yè)知識(shí)和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),,先后研發(fā)出了多款*材料制備設(shè)備。主要產(chǎn)品有:微波燒結(jié)爐,、真空管式爐,、箱式電阻爐、高頻感應(yīng)爐,、氧化鋯燒結(jié)爐,、熒光粉燒結(jié)爐、晶體退火爐,、電池材料燒結(jié)爐,、旋轉(zhuǎn)管式爐、立式管式爐,、CVD管式爐等,;

其他的產(chǎn)品還有:等離子清洗機(jī)、真空手套箱,、真空干燥箱,、環(huán)境模擬測(cè)試柜、行星球磨機(jī),、高純石英管,、99剛玉管、真空法蘭等,。

近年來(lái),,在社會(huì)各界的關(guān)心支持下,公司不斷發(fā)展壯大,,與國(guó)內(nèi)外多所高校和科研單位建立起了合作關(guān)系,;公司還聘請(qǐng)了多位國(guó)內(nèi)外重點(diǎn)高校的教授,博導(dǎo)為公司常年的技術(shù)顧問(wèn),,他們時(shí)刻與國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)界保持交流,出國(guó)訪問(wèn),,并親臨一線指導(dǎo)產(chǎn)品的生產(chǎn)和研發(fā),,使我公司的產(chǎn)品不斷完善,并緊跟世界研究熱點(diǎn),,推出相關(guān)的新產(chǎn)品,。產(chǎn)品遠(yuǎn)銷歐美、日韓等國(guó)家,,并在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)獲得業(yè)界*好評(píng),。

如果您正在被國(guó)貨的產(chǎn)品質(zhì)量所困擾,選擇我們將改變您對(duì)國(guó)貨的某些觀念,;如果您正在為自己的實(shí)驗(yàn)方案的實(shí)施而茫然,,選擇我們將有專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)為您量身定做,!如果您正在為故障設(shè)備的售后無(wú)人理會(huì)而發(fā)愁,選擇我們一切的問(wèn)題將由我們負(fù)責(zé)到底,。鄭州成越科學(xué)儀器有限公司的誠(chéng)信,、實(shí)力和產(chǎn)品質(zhì)量獲得業(yè)界的認(rèn)可。歡迎各界朋友蒞臨參觀,、指導(dǎo)和業(yè)務(wù)洽談,。


管式爐,氣氛爐,,馬弗爐,,等離子磁控濺鍍膜儀,等離子清洗機(jī),,切斷機(jī),,拋光機(jī)

簡(jiǎn)單介紹:

鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款6寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術(shù),,可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測(cè)量,,不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償,溫度控制**,,溫度重復(fù)性高,,客戶包括國(guó)際上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊(duì),是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇,。


技術(shù)特色:

 • 真正的基片溫度測(cè)量,,無(wú)需傳統(tǒng)的溫度補(bǔ)償

• 紅外鹵素管燈加熱

• 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性

• 快速數(shù)字PID溫度控制

• 不銹鋼冷壁真空腔室

• 系統(tǒng)穩(wěn)定性好

• 結(jié)構(gòu)緊湊,小型桌面系統(tǒng)

• 帶觸摸屏的PC控制

• 兼容常壓和真空環(huán)境,,真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr,,采用二級(jí)分子泵真空度低至5×10-6Torr

• *高3路氣體(MFC控制)

• 沒(méi)有交叉污染,沒(méi)有金屬污染

真實(shí)基底溫度測(cè)量技術(shù)介紹:


鹵素?zé)鬜TP退火爐


如上圖,,由陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過(guò)石英窗口到達(dá)樣品表面,,樣品被加熱,傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進(jìn)行測(cè)量基片溫度,,由于熱電偶與基片有一定距離,,測(cè)量的不是基片真實(shí)的溫度,必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償,。

 

  采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進(jìn)行測(cè)溫,,如上圖,接觸測(cè)溫儀與片狀Real T/C KIT相連,,工作時(shí)片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置,,陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過(guò)石英窗口到達(dá)樣品表面,樣品被加熱,,片狀Real T/C KIT同時(shí)被加熱,,由于基片與Real T/C KIT很近,,它們之間也會(huì)進(jìn)行熱量傳遞,并很快達(dá)到熱平衡,,所以片狀Real T/C KIT測(cè)量的溫度就無(wú)限接近基片真實(shí)的溫度,,從而實(shí)現(xiàn)基片溫度的真實(shí)測(cè)量。

技術(shù)參數(shù):


產(chǎn)品名稱

鹵素?zé)?/span>RTP退火爐

產(chǎn)品型號(hào)

CY-RTP1000-Φ150-T

基片尺寸

6英寸

基片基座

石英針(可選配SiC涂層石墨基座)

溫度范圍

150-1250

加熱速率

10-150/S

溫度均勻性

≤±1.5% (@800, Silicon wafer)

≤±1.0% (@800, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

溫度控制精度

 ±3

溫度重復(fù)性

 ±3

真空度

5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

氣路供應(yīng)

標(biāo)準(zhǔn)1N2吹掃及冷卻氣路,,由MFC控制(*多可選3路)

退火持續(xù)時(shí)間

35min@1250

溫度控制

快速數(shù)字PID控制

尺  寸

870mm*650mm*620mm


相關(guān)分類

氧化擴(kuò)散設(shè)備


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