MDPspot少子壽命測試儀

產(chǎn)品特點

低成本桌面單點測量硅片或晶磚，用于在不同制備階段表征各種不同的硅樣品,，無需內(nèi)置自動化,。可選手動操作的z軸厚度高達156毫米的硅磚樣品,，高達156毫米硅磚,，結(jié)果可視化的標準軟件。

詳細介紹

產(chǎn)品介紹：

MDPspot W

包括一個額外的電阻率測量選項,。測量硅電阻率,，可用于沒有高度調(diào)節(jié)可能性的晶圓,，或晶磚,。必須預(yù)先定義這兩個選項中一個。

特點：        

◇  無接觸無破壞的電學(xué)半導(dǎo)體特性        

◇  包括μ-PCD測量選項        

◇  對迄今為止看不見的缺陷的可視化和外延層的研究具有優(yōu)良的靈敏度        

◇  集成多達四個激光器,，用于寬的注入水平范圍

◇  獲取單次瞬變的原始數(shù)據(jù)以及用于特殊評估目的的地圖         

技術(shù)規(guī)格:   

MDPspot 應(yīng)用：

鐵濃度測定

鐵的濃度的精確測定是非常重要的，因為鐵是硅中豐富也是有害的缺陷之一,。因此,，有必要盡可能準確和快速地測量鐵濃度，具有非常高的分辨率且**是在線的

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摻雜樣品的光電導(dǎo)率測量

B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應(yīng)用,，但到目前為止,，沒有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……

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陷阱濃度測定

陷阱中心是非常重要的,，為了了解材料中載流子的行為,，也可以對太陽能電池產(chǎn)生影響。因此,，需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能,。

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注入相關(guān)測量

少數(shù)載流子壽命強烈依賴于注入(過剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復(fù)合中心和俘獲中心的信息,。

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優(yōu)點：        

◇  臺式裝置,，用于載流子壽命的單點測量，多晶硅或單晶硅在不同的制備階段,，從原生材料到器件,。        

◇  體積小,，成本低，使用方便,。附帶一個基本的軟件,，用于在小型PC或筆記本上進行結(jié)果可視化。        

◇  適用于硅片到磚,，操作高度調(diào)節(jié)方便,。

細節(jié)：        

◇  允許單晶圓片調(diào)查        

◇  不同的晶圓級有不同的配方        

◇  監(jiān)控物料、工藝質(zhì)量和穩(wěn)定性      

附加選項：

◇  光斑大小變化

◇  電阻率測量(晶片)

◇  背景/偏置光

◇  反射測量(MDP)

◇  軟件擴展

◇  額外的激光器選配