1.產(chǎn)品概述：

系統(tǒng)由真空腔室（外延室、進樣室）,、樣品傳遞機構(gòu),、樣品架、立式旋轉(zhuǎn)靶臺,、基片加熱臺,、抽氣系統(tǒng)、真空測量,、工作氣路,、電控系統(tǒng),、計算機控制等各部分組成。

2.設(shè)備用途：

脈沖激光沉積(Pulsed Laser DeposiTION,，簡稱PLD)是新近發(fā)展起來的一項技術(shù),，繼20世紀80年代末成功地制備出高臨界溫度的超導(dǎo)薄膜之后，它的優(yōu)點和潛力逐漸被人們認識和重視,。該項技術(shù)在生成復(fù)雜的化合物薄膜方面得到了非常好的結(jié)果,。與常規(guī)的沉積技術(shù)相比，脈沖激光沉積的過程被認為是“化學(xué)計量”的過程,，因為它是將靶的成分轉(zhuǎn)換成沉積薄膜,，非常適合于沉積氧化物之類的復(fù)雜結(jié)構(gòu)材料。當脈沖激光制備技術(shù)在難熔材料及多組分材料(如化合物半導(dǎo)體,、電子陶瓷,、超導(dǎo)材料)的精密薄膜，顯示出了誘人的應(yīng)用景,。

3.真空室：

真空室結(jié)構(gòu):球形開門雙室

真空室尺寸:鍍膜室尺寸：Ф450mm ,；進樣室尺寸：Ф150x300mm

限真空度:鍍膜室≤6.0E-8Pa；進樣室：≤6.0E-5Pa

沉積源:φ2英寸靶材,，4個,；或φ1英寸靶材，6個

樣品尺寸,，溫度:φ2英寸,，1片，高800℃

占地面積（長x寬x高）:約2.8米x1.3米x1.9米

電控描述:部分電動控制

特色參數(shù) :配備高能電子衍射儀,、氧等離子體發(fā)生器