塑料介電常數(shù)測試儀塑料介電常數(shù)測試儀

電離損耗（又稱游離損耗）是由氣體引起的,，含有氣孔的固體介質(zhì)在外加電場強度超過氣孔氣體電離所需要的電場強度時，由于氣體的電離吸收能量而造成指耗,，這種損耗稱為電離損耗。

結(jié)構(gòu)損耗

在高頻電場和低溫下,，有一類與介質(zhì)內(nèi)鄰結(jié)構(gòu)的緊密度密切相關(guān)的介質(zhì)損耗稱為結(jié)構(gòu)損耗,。這類損耗與溫度關(guān)系不大，耗功隨頻率升高而增大,。

試驗表明結(jié)構(gòu)緊密的晶體成玻璃體的結(jié)構(gòu)損耗都很小,，但是當(dāng)某此原因（如雜質(zhì)的摻入、試樣經(jīng)淬火急冷的熱處理等）使它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)松散后,。其結(jié)構(gòu)耗就會大大升高,。

宏觀結(jié)構(gòu)不均勾性的介質(zhì)損耗

工程介質(zhì)材料大多數(shù)是不均勻介質(zhì)。例如陶瓷材料就是如此,，它通常包含有晶相,、玻璃相和氣相，各相在介質(zhì)中是統(tǒng)計分布口,。由于各相的介電性不同,，有可能在兩相間積聚了較多的自由電荷使介質(zhì)的電場分布不均勻，造成局部有較高的電場強度而引起了較高的損耗,。但作為電介質(zhì)整體來看,，整個電介質(zhì)的介質(zhì)損耗必然介于損耗大的一相和損耗小的一相之間。

表征：

電介質(zhì)在恒定電場作用下,，介質(zhì)損耗的功率為

　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd

定義單位體積的介質(zhì)損耗為介質(zhì)損耗率為

ω=σE2

在交變電場作用下,，電位移D與電場強度E均變?yōu)閺?fù)數(shù)矢量，此時介電常數(shù)也變成復(fù)數(shù),，其虛部就表示了電介質(zhì)中能量損耗的大小,。

D，E,，J之間的相位關(guān)系圖

D,，E，J之間的相位關(guān)系圖

如圖所示,，從電路觀點來看,，電介質(zhì)中的電流密度為

J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe

式中Jτ與E同相位。稱為有功電流密度,，導(dǎo)致能量損耗,；Je,，相比較E超前90°，稱為無功電流密度,。

定義

tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

式中,，δ稱為損耗角，tanδ稱為損耗角正切值,。

損耗角正切表示為獲得給定的存儲電荷要消耗的能量的大小,，是電介質(zhì)作為絕緣材料使用時的重要評價參數(shù)。為了減少介質(zhì)損耗,，希望材料具有較小的介電常數(shù)和更小的損耗角正切,。損耗因素的倒數(shù)Q=（tanδ）-1在高頻絕緣應(yīng)用條件下稱為電介質(zhì)的品質(zhì)因素，希望它的值要高,。

工程材料：離子晶體的損耗,，離子晶體的介質(zhì)損耗與其結(jié)構(gòu)的緊密程度有關(guān)。

緊密結(jié)構(gòu)的晶體離子都排列很有規(guī)則,，鍵強度比較大,，如α-Al2O3、鎂橄欖石晶體等,，在外電場作用下很難發(fā)生離子松弛極化,，只有電子式和離子式的位移極化，所以無極化損耗,，僅有的一點損耗是由漏導(dǎo)引起的（包括本質(zhì)電導(dǎo)和少量雜質(zhì)引起的雜質(zhì)電導(dǎo)）,。這類晶體的介質(zhì)損耗功率與頻率無關(guān)，損耗角正切隨頻率的升高而降低,。因此,，以這類晶體為主晶相的陶瓷往往用在高頻場合。如剛玉瓷,、滑石瓷,、金紅石瓷、鎂橄欖石瓷等