1 產品概述:

    SiC用高溫離子注入設備,，如愛發(fā)科（ULvac）公司推出的IH-860DSIC，是專為SiC功率器件工藝制程中離子注入和激活退火技術難題設計的專用設備,。該設備搭載了高溫ESC（靜電吸附卡盤）,，能夠在高溫環(huán)境下實現高能粒子的連續(xù)注入，有效解決了SiC晶圓在離子注入過程中易產生結晶缺陷的問題,。

2 設備用途：

    SiC用高溫離子注入設備主要用于SiC功率器件（如SiC-SBD和SiC-MOSFET）的生產工藝中,，特別是在離子注入和激活退火環(huán)節(jié)。通過該設備,，可以實現高溫下的高能離子注入,，控制注入離子的濃度和深度，從而改善SiC器件的物理特性,、表面特性及電學特性,。這對于提升SiC功率器件的性能和可靠性至關重要。

3 設備特點

  高溫處理能力：設備能夠在500℃的高溫下進行離子注入,，有效控制SiC晶圓在注入過程中產生的結晶缺陷,。

  高能粒子注入：支持高能量的離子注入，如1價離子可注入至350keV（Option: 430keV）,，2價離子可注入至700keV（Option: 860keV），滿足SiC晶圓對注入能量的高要求,。

  高吞吐量：通過采用可調溫的靜電吸盤和雙工位系統(tǒng)結構,，實現了晶圓在真空腔內的連續(xù)更換和高溫處理，將吞吐量提升至30枚/小時（支持直徑為75mm-150mm的晶圓）,，滿足量產需求,。

  自動化與智能化：設備具備自動連續(xù)高溫處理注入的功能,，減輕了操作員的負擔，同時提高了生產效率和一致性,。
4 技術參數和特點：

可適用于晶圓尺寸8inch等,，搭載了可對應不定形基板的臺板。

離子源,，除Gas source之外,，另外可以使用安全方面更容易處理的B、P,、As離子等固體蒸發(fā)源,。

HV terminal的部分，與量產裝置是同樣的構成,，可確保高信賴性,。

可大范圍對應從試作到量產的各類需求。