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CMD系列 枚葉式等離子CVD設(shè)備
- 公司名稱(chēng) 深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司
- 品牌 ULVAC/日本愛(ài)發(fā)科
- 型號(hào) CMD系列
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷(xiāo)商
- 更新時(shí)間 2024/9/6 11:18:01
- 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù) 382
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產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
1 產(chǎn)品概述:
等離子CVD設(shè)備主要由反應(yīng)室、氣體供應(yīng)系統(tǒng),、控制系統(tǒng)和加熱系統(tǒng)組成,。在設(shè)備中,通過(guò)引入特定氣體并施加能量(如微波,、射頻等)激發(fā)產(chǎn)生等離子體,,等離子體中的高能粒子(如電子,、離子)與氣體分子發(fā)生碰撞,促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的進(jìn)行,,從而在基底表面沉積形成所需的薄膜材料,。
2 設(shè)備用途:
薄膜生成:等離子體可以加速化學(xué)反應(yīng),提高薄膜的生成速度和質(zhì)量,,適用于多種材料(如金剛石,、氧化物等)的薄膜制備。
薄膜刻蝕:利用等離子體對(duì)薄膜表面進(jìn)行刻蝕,,去除雜質(zhì)和損傷層,,提高薄膜的性能。
薄膜摻雜:通過(guò)等離子體在薄膜中摻雜特定雜質(zhì),,改變薄膜的電學(xué),、光學(xué)等性質(zhì)。
基片處理:包括基片的刻蝕,、灰化以及表面處理等,,以改善基片的表面質(zhì)量和后續(xù)薄膜的附著性。
3 設(shè)備特點(diǎn)
高效性:等離子體中的高能粒子能顯著加速化學(xué)反應(yīng),,提高薄膜的生成效率,。
高質(zhì)量:通過(guò)精確控制反應(yīng)條件和等離子體參數(shù),可以制備出高質(zhì)量,、高純度的薄膜材料,。
靈活性:適用于多種材料的薄膜制備,且可通過(guò)調(diào)整工藝參數(shù)實(shí)現(xiàn)薄膜性質(zhì)的精確調(diào)控,。
環(huán)保性:相比傳統(tǒng)制備方法,,等離子CVD設(shè)備在制備過(guò)程中產(chǎn)生的廢棄物較少,有利于環(huán)境保護(hù),。
4 技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn):
枚葉式等離子CVD設(shè)備CMD系列
CMD系列是用SiH4和TEOS成膜的a-Si膜,、氧化硅膜、氮化膜成膜用的枚葉式CVD設(shè)備,。
和傳統(tǒng)的工藝溫度相比,,每個(gè)unit的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)可以在更高的溫度下運(yùn)行、開(kāi)發(fā)真空搬送機(jī)械手來(lái)實(shí)現(xiàn)搬送系統(tǒng)的穩(wěn)定性,。
通過(guò)改善反應(yīng)室的內(nèi)部結(jié)構(gòu),、氣體供給系統(tǒng),達(dá)到長(zhǎng)期穩(wěn)定的TEOS(SiO2)膜速率,。
通過(guò)加熱反應(yīng)氣體的通道,,在排除設(shè)備中的氣體排出、抑制配管Trap未使用時(shí)的配管副生成物的粘附,、可以縮短保養(yǎng)時(shí)間,。
可以輕松的完成單獨(dú)基板管理,,如成膜條件。