1. 產(chǎn)品概述

Hesper I E430R 12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng),，優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計(jì)提供優(yōu)良的工藝性能。

2. 設(shè)備用途/原理

Hesper I E430R 12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)：優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計(jì)提供優(yōu)良的工藝性能,，高效傳輸設(shè)計(jì),，可提高產(chǎn)能，單,、雙、四腔兼容設(shè)計(jì),，可滿足不同客戶需求,。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

晶圓尺寸 12 英寸，適用材料 硅,，適用工藝 埋層外延,、選擇性外延 、多晶外延,，適用域 科研,、集成電路。百科知識,；?減壓硅外延系統(tǒng)的工作原理主要涉及在氫等離子體原位清潔過的硅襯底表面上,，利用減壓（200～250乇）工藝在980～1000℃的溫度下生長出高質(zhì)量的外延層。?這一過程不僅優(yōu)化了外延層的生長條件,，還顯著提高了外延層的結(jié)晶質(zhì)量,。具體來說，通過減壓工藝,，可以減小襯底-外延層界面的摻雜濃度過渡區(qū),，從常壓時的1.0μm減小到0.4μm，同時電阻率和厚度的不均勻性分別小于5%和4%,。