薄膜,、SEM氮化硅膜窗格

【基本信息】

中文名稱：SEM氮化硅膜窗格

純度：99.9%

材料：LPCVD 氮化硅薄膜

介電常數(shù)：6-7

介電強(qiáng)度：10（106 V/cm ）

電阻率：1016Ω-cm

粗糙度(Ra)：0.28±5%nm

折射率：2.15-2.17

粗糙度(Rms)：0.40±5%nm

存儲：-20℃冷藏,、密封、避光

保存時(shí)間：1年

用途：僅用于科研,，不能用于人體

薄膜,、SEM氮化硅膜窗格

【詳情描述】

SEM氮化硅膜窗格指的是一種通過掃描電子顯微鏡（Scanning Electron Microscopy，SEM）觀察的氮化硅薄膜,，該薄膜具有窗格結(jié)構(gòu),。SEM廣泛用于觀察表面形貌和納米尺度結(jié)構(gòu)。

SEM（掃描電子顯微鏡）：

定義： SEM是一種通過掃描樣品表面的電子束來產(chǎn)生圖像的顯微鏡,。它提供高分辨率的表面形貌圖像,，適用于納米尺度和微米尺度的觀察,。

氮化硅膜窗格：

定義： 氮化硅膜窗格指的是在氮化硅薄膜上形成的具有窗格結(jié)構(gòu)的區(qū)域。這些窗格可能具有不同的形狀,、大小或分布。

這種窗格結(jié)構(gòu)可能在納米技術(shù),、光學(xué),、光電子學(xué)等領(lǐng)域中發(fā)揮作用，具體應(yīng)用可能涉及到傳感器,、光學(xué)器件或其他納米材料的制備,。

【推薦產(chǎn)品】

藍(lán)寶石基底ReSe2薄膜

石英基底ReSe2薄膜

PET基底ReSe2薄膜

藍(lán)寶石基底SnSe2薄膜

SiO2/Si基底SnS2薄膜

石英基底SnS2薄膜

PET基底SnS2薄膜

孤立晶粒SnS2薄膜

以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.31.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途,。