CVD二維薄膜、碲化銻薄膜(Sb2Te3)

【基本信息】

中文名稱：碲化銻薄膜

英文名稱：Sb2Te3

純度：99.9%

存儲：-20℃冷藏,、密封,、避光

保存時間：1年

用途：僅用于科研，不能用于人體

CVD二維薄膜,、碲化銻薄膜(Sb2Te3)

【詳情描述】

碲化銻（Sb2Te3）：

性質(zhì)： 碲化銻是一種拓撲絕緣體，同時也是一種熱電材料,。在薄層形式下,，它具有電學性質(zhì)，表現(xiàn)出拓撲絕緣體行為,。

應用： Sb2Te3在熱電材料領域有廣泛應用,，特別是在相變存儲器（Phase Change Memory，PCM）等器件中,。

CVD二維薄膜：

CVD（化學氣相沉積）： CVD是一種通過氣相前體在基底表面沉積薄膜的技術,。在納米科技中，CVD廣泛用于制備二維材料的薄膜,。

應用： CVD生長的二維薄膜通常具有可控的厚度和晶體質(zhì)量,，適用于納米電子學、光電子學,、傳感器等應用領域

【推薦產(chǎn)品】

MoSe2薄膜 藍寶石(雙面拋光)基底

MoSe2薄膜 藍寶石(單面拋光)基底

MoSe2薄膜 SiO2/Si 基底

SiO2/Si基底二碲化鉬薄膜(MoTe2)

以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.30.         

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研,，不能用于人體及其他用途。