化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>其它半導(dǎo)體行業(yè)儀器設(shè)備>其它半導(dǎo)體設(shè)備>ITC57300 MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀
ITC57300 MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀
- 公司名稱 深圳市育創(chuàng)科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 ITC57300
- 產(chǎn)地 深圳
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時間 2024/12/2 7:25:43
- 訪問次數(shù) 2448
聯(lián)系方式:彭育情13421301530 查看聯(lián)系方式
聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
價格區(qū)間 | 面議 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子,交通,汽車,電氣 |
---|
MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀
主要測試能力
1.測試電壓:1200 VDC 200(短路電流可達1000A)
2.定時測量:為1 ns
3.漏電流限制監(jiān)視器
4.MOSFET開關(guān)時間測試,, Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
5.MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復(fù)時間測試,Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
6.Qrr range:1nc~100uc,,Trr range:10ns~2us
7.MOSFET柵電荷Qg測試,,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
8.IGBT感性開關(guān)時間測試,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps,,Inductors range:0.1mH~159.9mH
9.IGBT短路耐量測試,,Max ISC=1000A
測試標準
MIL-STD-750 Series
MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀選項
1.額外的電源供應(yīng)器
2.額外的測試頭
3.大包裝適配器
測試儀測試頭
1.ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET,MIL-STD-750方法3472開關(guān)時間
2.ITC57220 - TRR /電源,,MOSFET和二極管的Qrr,,MIL-STD-750方法,3473
3.ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET,,MIL-STD-750方法3471
4.ITC57240 - 電感式開關(guān)時間為IGBT,,MIL-STD 750方法3477
5.ITC57250 - (ISC)短路耐受時間,MIL-STD-750方法3479
ITC57210 開關(guān)時間測試頭
此測試頭以美軍標 MIL-STD-750, Method 3472,,驗證功率器件MOSFETs,P溝道和N溝道的開關(guān)時間,。所測量的參數(shù)包括 :Time Delay On[td(on)],Rise Time(tr),Time Delay Off [td(off)],Fall Time(tf)
ITC57230 柵電荷測試頭
ITC57230對功率器件MOSFETs的柵電荷能力以美軍標MIL-STD-750, Method 3471進行考驗。 先給MOSFET管的柵極加電壓,,在柵極打開時,,把一個恒電流,高阻抗的負載接到MOSFTE管的漏極,。當漏極電流攀爬到用戶設(shè)定的數(shù)值時,,被測器件的柵電荷可通過向漏極導(dǎo)通可編程恒流源放(或P溝道器件,向源極導(dǎo)通),。通過監(jiān)視柵電壓和波形下各部分的面積便可計算出電荷量,。
ITC57250 短路耐量測試頭
ITC57250以美軍標MIL-STD-750, Method 3479的定義,實行短路耐抗時間測試,。在某些電路,,如馬達驅(qū)動電路,半導(dǎo)體器件須有能力抗衡并頂住短時間的短路狀況,。此測試就是用于驗證器件在短路情況下所能承受的耐抗時間,。器件內(nèi)的電流是取決于器件的放大值(gain)和所使用的驅(qū)動脈寬。