硅光子學(xué)是一項(xiàng)快速發(fā)展的技術(shù),，有望改變通信、計(jì)算和感知世界的方式,。然而,，缺少高度可擴(kuò)展的,、原生互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)集成光源是阻礙廣泛應(yīng)用的主要因素之一,。盡管在硅上混合與異質(zhì)集成III–V族光源,，取得了相當(dāng)大的進(jìn)展,，但通過直接外延III–V族材料的單片集成，仍然是具有成本效益較高的片上光源,。

　　近日,，比利時(shí)微電子研究中心 (imec) Yannick De Koninck, Charles Caer, Didit Yudistira,，Bernardette Kunert & Joris Van Campenhout等，在Nature上發(fā)文,，報(bào)道了基于一種全新的集成方法，即納米脊工程,，在CMOS試驗(yàn)生產(chǎn)線上，在300-mm Si(001)晶圓上,，制造了電驅(qū)動(dòng)砷化鎵(GaAs)基激光二極管。具有嵌入式p-i-n二極管和InGaAs量子阱的GaAs納米脊波導(dǎo),，在晶圓規(guī)模上高質(zhì)量生長。

　　GaAs nano-ridge laser diodes fully fabricated in a 300-mm CMOS pilot line. 在300-mm CMOS導(dǎo)引線中,，制造GaAs納米脊激光二極管。

　　圖1、片上GaAs NR激光器的晶圓級集成© 2025 Springer Nature

　　圖2,、具有片上光電探測器的GaAs NR激光測試單元,，用于片級表征© 2025 Springer Nature

　　圖3、單面切割GaAs NR激光器的模級測量© 2025 Springer Nature

　　圖4.蝕刻面GaAs NR激光器的片上測量© 2025 Springer Nature

　　圖5,、蝕刻面GaAs NR激光器的全晶圓尺度測量© 2025 Springer Nature

　　在晶圓上的300多個(gè)器件中,，演示了波長約為1.020nm室溫連續(xù)波激光，閾值電流低至5mA,，輸出功率超過1mW,，激光線寬低至46MHz，激光器工作溫度高達(dá)55°C。這些結(jié)果表明了,，在硅光子學(xué)平臺(tái)中的單片集成激光二極管,，III–V/Si納米脊工程概念的應(yīng)用潛力，有望應(yīng)用在光學(xué)傳感,、互連等領(lǐng)域的成本敏感且高容量應(yīng)用,。

　　您好,可以免費(fèi)咨詢,技術(shù)客服,Daisy

　　參考文獻(xiàn)： 中國光學(xué)期刊網(wǎng)

　　免責(zé)聲明： 資訊內(nèi)容來源于互聯(lián)網(wǎng)，目的在于傳遞信息,，提供專業(yè)服務(wù),，不代表本網(wǎng)站及新媒體平臺(tái)贊同其觀點(diǎn)和對其真實(shí)性負(fù)責(zé)。如對文,、圖等版權(quán)問題存在異議的，請聯(lián)系我們將協(xié)調(diào)給予刪除處理,。行業(yè)資訊僅供參考,，不存在競爭的經(jīng)濟(jì)利益。