蔡司雙束電鏡Crossbeam系列

蔡司雙束電鏡Crossbeam系列結(jié)合了高分辨率場發(fā)射掃描電鏡（FE-SEM）的出色成像和分析性能,，以及新一代聚焦離子束（FIB）的優(yōu)異加工能力,。無論是用于多用戶實驗平臺，還是科研或工業(yè)實驗室,， 利用Crossbeam系列模塊化的平臺設計理念,，您可基于自身需求隨時升級儀器系統(tǒng)（例如使用LaserFIB進行大規(guī)模材料加工）。在加工,、成像或是實現(xiàn)三維重構(gòu)分析時,，Crossbeam系列將大大提升您的聚焦離子束（FIB）應用效率。

使您的掃描電鏡（SEM）具備強大的洞察力

提升您的聚集離子束（FIB）樣品制備效率

在您的雙束電鏡（FIB-SEM）分析中體驗出色的三維空間分辨率

使您的掃描電鏡具備強大的洞察力

通過樣品臺減速技術（Tandem decel,，新型蔡司Gemini電子光學系統(tǒng)的一項功能）實現(xiàn)低電壓電子束分辨率提升高達30%,。

使用Gemini電子光學系統(tǒng)，您可以從高分辨率掃描電鏡（SEM）圖像中獲取真實的樣品信息,。

在進行高度靈敏表面二維成像或三維斷層成像時,，您可以信賴蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的性能。

即使在使用非常低的加速電壓時也可獲得高分辨率,、高對比度和高信噪比的清晰圖像,。

借助一系列的探測器實現(xiàn)樣品的方位表征；使用的Inlens EsB探測器獲得更純的材料成分襯度,。

使用低電壓表征不導電樣品,，消除荷電效應的影響。

提升您的聚焦離子束（FIB）樣品制備效率

得益于智能聚焦離子束（FIB）的掃描策略,，移除材料相比以往實驗快40%以上,。

鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor采用了全新的加工方式：盡可能減少樣品損傷，提升樣品質(zhì)量,，從而加快實驗進程,。

使用高達100 nA的離子束束流，高效而精確地處理樣品,，并保持高分辨率,。

制備TEM樣品時，請使用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor的低電壓功能：獲得超薄樣品的同時，盡可能降低非晶化損傷,。

在您的雙束電鏡分析中體驗出色的三維空間分辨率

體驗整合的三維能譜和EBSD分析所帶來的優(yōu)勢,。

在切割、成像或執(zhí)行三維分析時,，Crossbeam系列將提升您的FIB應用效率,。

使用先進的快速精準三維成像及分析軟硬件包——Altas 5來擴展您的Crossbeam性能。

使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像過程中進行EDS和EBSD分析,。

雙束電鏡的斷層成像可獲得優(yōu)異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸,；使用Inlens EsB探測器探測小于3 nm的深度，可獲得極表面的材料成分襯度圖像,。

在加工過程中收集連續(xù)切片圖像以節(jié)省時間,；精確的體素尺寸和自動流程保證圖像質(zhì)量。

蔡司雙束電鏡Crossbeam系列

Crossbeam 350

利用低真空操作,，使用可變壓力模式對含有氣體或帶電的樣品進行原位實驗,。通過Gemini電子光學系統(tǒng)和鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor，實現(xiàn)高質(zhì)量成像,。

Crossbeam 550

為您進行要求苛刻的材料表征并選擇適合您的樣品尺寸——標準尺寸或大尺寸,。Gemini 2電子光學系統(tǒng)即使在低電壓和高束流條件下亦可提供高分辨率。如需在高束流條件下獲得高分辨率圖像以及進行快速分析,，這無疑是您的理想之選。

Crossbeam Laser

用于切割大量材料和制備大樣品的儀器——交換艙內(nèi)的飛秒激光助力原位研究,，避免了艙室污染,，并可配置于Crossbeam 350和550，快速找到深埋結(jié)構(gòu)的入口以及制備要求苛刻的結(jié)構(gòu)（如原子探針樣品）,。

Correlative Cryo Workflow（冷凍關聯(lián)工作流程）

這種用于在冷凍條件下進行TEM薄片制備和體積成像的解決方案能夠?qū)崿F(xiàn)接近原生狀態(tài)的成像,。關聯(lián)寬場顯微鏡、激光共聚焦顯微鏡和雙束電鏡,， 同時保持多功能雙束電鏡的靈活性,。

技術參數(shù)：

蔡司 Crossbeam 550

Gemini II鏡筒

可選Tandem decel

標準樣品倉有18個擴展接口或者加大樣品倉有22個擴展接口

X/Y方向行程：標準樣品倉100mm加大樣品倉153 mm

荷電中和電子槍

局域電荷中和器

Inlens SE 和 Inlens EsB可同時獲取SE和ESB成像

大尺寸預真空室可傳輸8英寸晶元

注意加大樣品倉可同時安裝3支壓縮空氣驅(qū)動的附件。例如 STEM, 4分割背散射 探測器和局域電荷中和器

高效的分析和成像,，在各種條件下保持高分辨特性,，同時獲取Inlens SE和Inlens ESB圖像

特點：

鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor 可在不影響加工精度的情況下加快您的FIB工作進程，并讓您受益于其對任何樣品的低電壓性能,。

蔡司Crossbeam產(chǎn)品系列配有新一代的鎵離子FIB鏡筒——Ion-sculptor,，具有可實現(xiàn)高通量的高電流以及用于高樣品質(zhì)量的出色低電壓性能。

充分利用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor在低電壓下的出色性能來提升樣品質(zhì)量,。盡可能減少您樣品的非晶化并使您在減薄后獲得出色結(jié)果,。

產(chǎn)品具備全面穩(wěn)定性，確保您獲得精準且可重復的結(jié)果。

通過快速探頭電流交換加速您的FIB應用,。

借助高達100 nA的電子束流可進行高通量實驗,。

實現(xiàn)小于3 nm的出色的FIB分辨率。

Crossbeam產(chǎn)品系列配有用于長期實驗的自動FIB發(fā)射恢復功能,。