Picosun R200 原子層沉積系統(tǒng)
- 公司名稱 深圳市錫成科學(xué)儀器有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) Picosun R200
- 產(chǎn)地 芬蘭
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2024/8/7 16:21:43
- 訪問次數(shù) 457
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臺(tái)階儀,，光學(xué)輪廓儀,，電化學(xué)工作站，納米壓痕儀,，力電聯(lián)測(cè)材料試驗(yàn)機(jī),，介電溫譜測(cè)量系統(tǒng)，電阻測(cè)試儀,，原子力顯微鏡,，光學(xué)顯微鏡
| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
|---|
原子層沉積系統(tǒng)
將氣相前驅(qū)體交替脈沖通入反應(yīng)室，并在襯底表面發(fā)生氣/固相化學(xué)吸附反應(yīng)形成薄膜,。無論液體,、氣體還是固體化學(xué)物，都可以配置獨(dú)立,，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng),，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度小的薄膜層,。
2 表面自限制生長,，平整度高，均勻性好,。
2 逐層吸附沉積,，無針孔，致密性高,。
2 三維共形：前驅(qū)體均勻覆蓋襯底材料表面,，生成與襯底表面形狀一致的薄膜，適用各種復(fù)雜三維形狀的襯底,。
2 附著性高,，在化學(xué)吸附作用下，前驅(qū)體和襯底材料緊密粘附在一起,。
2 單原子層逐層沉積,，厚度精確可控。
原子層沉積系統(tǒng)
型號(hào) | R-200標(biāo)準(zhǔn)型 | R-200高級(jí)型 |
襯底尺寸（φ） | 單片：50~200mm 156 mm x 156 mm 太陽能硅片 | 單片：50~200mm 156 mm x 156 mm 太陽能硅片 |
襯底形貌 | 復(fù)雜三維構(gòu)型,、平板,、多孔,、通孔、溝槽,、粉末與顆粒 | |
深寬比 | 2500 | 2500 |
溫度 | 50~500℃ | 50~500℃ Plasma：450/650℃ |
溫度精度 | ±1℃ | ±1℃ |
襯底傳送選件 | v 氣動(dòng)升降（手動(dòng)裝載）,； v 磁力機(jī)械手裝載（Load lock ）
| v 氣動(dòng)升降（手動(dòng)裝載） v 磁力機(jī)械手裝載（Load lock ） v 半自動(dòng)裝載； v 全自動(dòng)裝載 |
前驅(qū)體 | v 液體,、固體,、氣體、臭氧源 v 6個(gè)前驅(qū)體源,，4個(gè)獨(dú)立源管
| v 液體,、固體、氣體,、臭氧源,、等離子體（最多4路） v 12個(gè)前驅(qū)體源，6個(gè)獨(dú)立源管,，（選擇Plasma時(shí)，共7根獨(dú)立源管） |
均勻性（1σ） | 6“和8”晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數(shù)據(jù) - AI2O3 (batch)：0.13% - TiO2：0.28% - HfO2：0.47% - SiO2 (batch)：0.77% - ZnO：0.94% - Ta2O5：1.0% - TiN：1.1% - CeO2：1.52% - Pt：3.41% | |
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