半導(dǎo)體類。

納米科技,。

產(chǎn)品質(zhì)量控制和質(zhì)量檢查。

氧化物,、氮化物和金屬材料的研究,。

太陽能電池,。

光學(xué)研究。

材料研究,。

客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和

其應(yīng)用,。

寬大的前開式門,，並有兩個(gè)視窗和視窗

遮版用於觀察基材和濺鍍源。

具有顯示功能的全領(lǐng)域真空計(jì)和用於

壓力控制的Baratron真空計(jì),。

腔體的極限真空度約為10^-8Torr,。

客製化基板尺寸,，最大直徑可達(dá)12寸晶圓,。

優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。

磁控濺鍍源（最多6個(gè)源）,，具有多

種可選的靶材尺寸,。

射頻、直流或脈衝直流,，分別用於

非導(dǎo)電,，導(dǎo)電靶材。

具有順序操作或共沉積的多個(gè)濺鍍

源,。

精準(zhǔn)流量控制器（最多4條氣體管線）,。

基板可加熱到600°C。

可調(diào)節(jié)的基材到靶材之間距,。

每個(gè)濺鍍源和基板均安裝遮板,。

可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合

在一起,。

結(jié)合離子源,、熱蒸發(fā)源,、電子束...。

基板可用射頻或直流偏壓,。

膜厚監(jiān)測儀,。

射頻等離子清潔用於基材。

OES,、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口,。