HTR-4立式4寸快速退火爐

HTR-4立式4寸快速退火爐（芯片熱處理設(shè)備）廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓,、MEMS,、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)，和歐姆接觸快速合金,、離子注入退火,、氧化物生長、消除應(yīng)力和致密化等工藝當(dāng)中,，通過快速熱處理以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能,，技術(shù)指標(biāo)高、工藝復(fù)雜,、專用性強(qiáng),。

主要應(yīng)用領(lǐng)域：

1.快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA),，快速熱氧化(RTO),，快速熱氮化(RTN)；

2.離子注入/接觸退火,；

3.金屬合金,；

4.熱氧化處理；

5.化合物合金（砷化鎵,、氮化物等）,；

6.多晶硅退火；

7.太陽能電池片退火,；

8.高溫退火,；

9.高溫擴(kuò)散。

產(chǎn)品特點：

·         可測大尺寸樣品：可測單晶片樣品的尺寸為4英寸,。

·         壓力控制系統(tǒng)創(chuàng)新設(shè)計：高精度控制壓力，以滿足不同的工藝要求,。

·         存儲熱處理工藝：方便工藝參數(shù)調(diào)取,，提高實驗效率,，數(shù)據(jù)可查詢。

·         快速控溫與高真空：升溫速率可達(dá)150℃/s,，真空度可達(dá)到10^-5Pa,。

·         程序設(shè)定與氣路擴(kuò)展：可實現(xiàn)不同溫度段的控制，進(jìn)行降溫段的自動轉(zhuǎn)接,，并能夠?qū)に嚥藛芜M(jìn)行保存,，方便調(diào)用。采用MFC控制氣體流量,，實現(xiàn)不同氣氛環(huán)境（真空,、氮氣等）下的熱處理。

·         腔體空間設(shè)計：保證大尺寸樣品的溫場均勻性 ≤1%,。

·         全自動智能控制：采用全自動智能控制,，包括溫度、時間,、氣體流量,、真空、冷卻水等均可實現(xiàn)自動控制,。

·         超高安全系數(shù)：采用爐門安全溫度開啟保護(hù),、溫控器開啟權(quán)限保護(hù)以及設(shè)備急停安全保護(hù)三重安全措施，保障設(shè)備使用安全,。

·          

·         主要技術(shù)參數(shù)：

·