1. 產(chǎn)品概述：

MCF 的化學(xué)機(jī)械拋光機(jī) CMP 是一種用于半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,，主要通過機(jī)械研磨和化學(xué)液體溶解 “腐蝕” 的綜合作用,，對半導(dǎo)體材料（如晶圓）進(jìn)行研磨拋光，以實(shí)現(xiàn)材料表面的平坦化處理,，為后續(xù)的半導(dǎo)體器件制造工序（如光刻,、蝕刻等）提供高質(zhì)量的平整表面,。

2. 設(shè)備應(yīng)用：

· 半導(dǎo)體集成電路制造：在半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)過程中，用于對晶圓進(jìn)行平坦化拋光,，確保晶圓表面的平整度和光潔度,，滿足芯片制造中對多層結(jié)構(gòu)和精細(xì)線路的要求，例如在邏輯芯片,、存儲芯片等的制造中,，CMP 是實(shí)現(xiàn)高性能芯片的重要工藝環(huán)節(jié)。

· 其他電子元件制造：對于一些對表面平整度要求較高的電子元件,，如光電器件,、MEMS 器件等，該化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)也可用于其制造過程中的表面處理,，提升元件的性能和可靠性,。

3. 設(shè)備特點(diǎn)：

1. 該化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)可用于各類半導(dǎo)體集成電路、氧化物,、金屬、STI,、SOI等產(chǎn)品的CMP平坦化拋光,。 通過更換拋光頭可兼容4、6,、8英寸晶圓

2. 系統(tǒng)功能：手動上下片,，程序自動進(jìn)行拋光，配有終點(diǎn)監(jiān)測裝置,，配置半自動loading & unloading托盤系統(tǒng),，8寸規(guī)格，方便8寸晶圓上下片

3. 拋光數(shù)據(jù)監(jiān)測：具有摩擦力監(jiān)測功能

4. 配備紅外溫度計實(shí)時監(jiān)測拋光過程中拋光墊表面溫度

4. 產(chǎn)品參數(shù)：

1. 拋光盤直徑≥20inch(508mm) 轉(zhuǎn)速范圍：30-200rpm

2. 拋光頭wafer加壓方式：氣囊加壓,，帶有背壓功能

3. wafer壓力控制范圍：70-500g/cm2

4. 保持環(huán)壓力控制范圍：70-700g/cm2

5. 拋光頭轉(zhuǎn)速范圍：30-200rpm 擺動幅度：±10mm

6. 拋光液供應(yīng)系統(tǒng)：3個可調(diào)流量蠕動泵供液,，3路獨(dú)立的拋光液通道，滴液位置可調(diào)

7. 配置摩擦力&溫度終點(diǎn)監(jiān)控系統(tǒng)：含專用監(jiān)測軟件,，帶有End point detection功能

8. 控制系統(tǒng)：PC工控機(jī)控制,，觸摸屏操作，可存儲20個加工程序,，加工程序最多可設(shè)6個不同加工階段

9. 均勻性 (1sigma,EE(Edge Exclusion):5mm)

片內(nèi)非均勻性WIWNU≤5%

片間非均勻性WTWNU≤5%

實(shí)際參數(shù)可能會因設(shè)備的具體配置和定制需求而有所不同,。