6MBI60FA-060 FUJITSU富士通芯片存儲器庫存大量甩賣
- 公司名稱 上海菱聯(lián)自動化控制技術有限公司
- 品牌 FUJITSU/富士通
- 型號 6MBI60FA-060
- 產(chǎn)地 日本
- 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
- 更新時間 2024/11/23 21:16:36
- 訪問次數(shù) 1280
聯(lián)系方式：李工18717989803 查看聯(lián)系方式
聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息，謝謝!
上海菱聯(lián)自動化控制技術有限公司是一家專注于工業(yè)自動化產(chǎn)品銷售及其工程設計的科技企業(yè),，公司下設技術研發(fā)部,，市場銷售部，商務物流部,，財務部等專職部門,，公司專業(yè)經(jīng)營伺服電機、運動控制器,、變頻器,、PLC、傳感器,、觸摸屏,、減速機、電磁閥,、編碼器,、小馬達、張力糾偏控制等產(chǎn)品,，因良好的技術支持和服務,，在華東地區(qū)取得了較大的度。
| 品牌 | FUJITSU | 型號 | 6MBI60FA-060 |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)地 | 日本 | 庫存數(shù)量 | 108825片 |
| 單位 | 片 | 發(fā)貨方法 | 快遞 |
| 參數(shù) | 詳見說明書 | 工作環(huán)境溫度范圍 | -40°C至+125°C |
FUJITSU富士通芯片存儲器庫存大量甩賣6MBI60FA-060 我們的優(yōu)勢：存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關鍵的組件之一,，已經(jīng)形成主要由DRAM與NAND Flash構成的超千億美元的市場,。隨著萬物智聯(lián)時代的到來,，
人工智能、智能汽車等新興應用場景對存儲提出了更高的性能要求,，促使新型存儲器迅速發(fā)展,，影響未來存儲器市場格局。目前,，
新型存儲器主要有4種：相變存儲器（PCM）,，鐵電存儲器（FeRAM），磁性存儲器（MRAM）和阻變存儲器（ReRAM）,。
其中,，F(xiàn)eRAM是一種理想的存儲器，在計算機,、航天航空,、軍工等領域具有廣闊的應用前景，世界上許多大的半導體公司對此都十分重視,。
代理品牌富士通半導體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML,。這種非易失性存儲器可以在最大 108MHz 的工
作頻率下實現(xiàn)每秒 54MByte 的數(shù)據(jù)傳輸率，并具有四個 I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1),。本產(chǎn)品具有高速運算和非易失性的特點,，
非常適合用于需要快速數(shù)據(jù)重寫的可編程邏輯控制器(PLC)和路由器等工業(yè)計算和網(wǎng)絡設備。
20 多年來,，富士通半導體已量產(chǎn)的 FeRAM 產(chǎn)品,，與 EEPROM 和閃存相比，具有更高的讀寫耐久性,、更快的寫入速度和更低的功耗,。到目前為止，這些高可靠性產(chǎn)品已成功應用于工業(yè),、基礎設施,、消費和汽車領域。
FUJITSU富士通芯片存儲器庫存大量甩賣6MBI60FA-060 提供各產(chǎn)品信息服務:此外,，一些客戶一直在要求 FeRAM 可以在非易失性存儲器的同時進行快速數(shù)據(jù)傳輸,。我們很高興能夠通過 Quad SPI 4Mbit FeRAM 產(chǎn)品滿足這一要求。
MB85RQ4ML采用Quad SPI接口和1.8V電源電壓,，在108MHz工作頻率下數(shù)據(jù)傳輸速率為54MB/s,。在此產(chǎn)品發(fā)布之前，
具有 16 個 I/O 引腳的并行接口的 4Mbit FeRAM 是最快的 FeRAM,，具有 13MB/s 的數(shù)據(jù)傳輸速度,。然而，MB85RQ4ML
只有四個 I/O 管腳,，讀寫數(shù)據(jù)大約是并行接口 FeRAM 的 4 倍(圖3),。 其封裝為 16pin SOP,，封裝尺寸為 7.5mm x 10.3mm。
數(shù)據(jù)傳輸率比較
如果您在產(chǎn)品中使用閃存,、EEPROM 或低功耗 SRAM,，并且遇到以下任何問題，請考慮使用富士通半導體的 FeRAM 解決方案,。
狀態(tài)：使用閃存 問題：由于寫入耐久性較低,，軟件開發(fā)負擔較大
閃存保證幾十萬次的寫周期。如果數(shù)據(jù)被多次寫入內(nèi)存中的同一區(qū)域,，該區(qū)域很快就會達到保證寫入周期時間的上限。
因此,，設計工程師必須開發(fā)一種名為“wear leveling”的軟件來分配內(nèi)存區(qū)域中的寫入位置,，以使數(shù)據(jù)不會多次寫入同一位置。
軟件開發(fā)的工作量對設計工程師來說是一個非常大的負擔,。而 FeRAM 保證 10 萬億次讀/寫周期,，并且數(shù)據(jù)可以像低功耗 SRAM 一樣被覆蓋到內(nèi)存區(qū)域。
這些功能有助于設計工程師,，因為工程師不需要開發(fā)復雜的數(shù)據(jù)寫入軟件,，例如磨損均衡
磨損均衡示意圖
狀態(tài)：使用 EEPROM 問題：數(shù)據(jù)寫入時間較長
EEPROM 即使是 8 位數(shù)據(jù)寫入也有 5ms 的寫入周期時間，因為它除了寫入操作之外還包括擦除操作,。另一方面,，F(xiàn)eRAM 具有較短的寫入時間，例如在 8 位數(shù)據(jù)寫入時為數(shù)百納秒,，因為它不需要擦除操作（圖5）,。此外，帶有 SPI 接口的 EEPROM 在最高 20MHz 的工作頻率下具有 2.5Mbyte/s 的數(shù)據(jù)傳輸率,。而富士通半導體的 Quad SPI FeRAM 有 54Mbyte/s,，是 EEPROM 的 20 倍以上。
寫入時間比較
狀態(tài)：使用 SRAM 問題：難以取出電池并減少組件安裝面積
低功耗 SRAM 需要電池來保存數(shù)據(jù)以保存寫入的數(shù)據(jù),，但由于非易失性存儲器,，F(xiàn)eRAM 不需要電池。然后,，由于 SRAM 有 16 個 I/O 引腳,，許多 SRAM 采用 44pin TSOP 封裝形式，但 MB85RQ4ML 采用 16pin SOP 封裝,，具有 4 個 I/O 引腳,。這意味著，如果您將 SRAM 替換為 FeRAM,，您可以通過移除電池并使用更小的封裝來減少 77% 的內(nèi)存安裝面積
MB96345YSAPMC-GSE2
CY91F465PAPMC-GS-UJE2
MB96345YSAPQC-GSE2
MB96345YWAPMC-GSE2
MB96345YWAPQC-GSE2
MB39A116
MB15E04PFV1-G-BND-ER
3MBI50SX-120-02
D5CF-881M50-D1F1-V
MB89255A/B
6MBP150RTS120
MB8279RT-20
6MBI60FA-060
6MBP25RC120
MB8843M-G-196L
MB89166PF-G-244
6MBP30RY060
MBM29DL324BD-90TN
MBM29F400TA90PFFJ
MBM29F200TC-90PFTN
88346L
74F1071
MB15F78ULPVA
MB85RS4MTY
MB85RS4MLY
MB85RS2MTY
MB85RS2MLY
MB85RS256TYA-
MB85RS256TY
MB85RS128TY
MB85RS64VY
MB85RQ8MX
MB85RQ8MLX
MB85RS4MTY
MB85RS4MLY
MB85RS4MT
MB85RQ4ML
MB85RS2MTY
MB85RS2MLY
MB85RS2MTA
MB85RS1MT
MB85RS1MT
MB85RS512T
MB85RS256TY
MB85RS256B
MB85RS128TY
MB85RS128B
MB85RS64VY
MB85RS64TU
MB85RS64T--
MB85RS64V
MB85RS64
MB85RS16
MB85RS16N
MB85RDP16LX
MB85RC1MT
MB85RC512T
MB85RC256V
MB85RC128A
MB85RC64TA
MB85RC64A
MB85RC64V
MB85RC16
MB85RC16V
MB85RC04
MB85RC04V
MB85R8M1TA
MB85R8M2TA
MB85R8M2T
MB85R4M2T
MB85R4001A
MB85R4002A
MB85R1001A
MB85R1002A
MB85R256F
MB85AS12MT
MB85AS8MT
采購中心
化工儀器網(wǎng)