我們的優(yōu)勢

高分辨率

MEMS微加工工藝，使電化學(xué)芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度最薄可達(dá)10nm,，極大減少了對(duì)電子束的干擾,，液相環(huán)境可達(dá)到納米級(jí)分辨率,。

高安全性

1．市面常見的其他品牌液體樣品桿，由于受自身液體池芯片設(shè)計(jì)方案制約,，只能通過液體泵產(chǎn)生的巨大壓力推動(dòng)大流量液體流經(jīng)樣品臺(tái)及芯片外圍區(qū)域,，有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴(kuò)散效應(yīng)進(jìn)入芯片中間的納米孔道,，芯片觀察窗里并無真實(shí)流量流速控制,。

2．采用納流控技術(shù),，通過壓電微控系統(tǒng)進(jìn)行流體微分控制，實(shí)現(xiàn)納升級(jí)微量流體輸送,，原位納流控系統(tǒng)及樣品桿中冗余的液體量僅有微升級(jí)別,，有效保證電鏡安全。

3．采用高分子膜面接觸密封技術(shù),，相比于o圈密封，增大了密封接觸面積,，有效減小滲漏風(fēng)險(xiǎn),。

4．采用超高溫鍍膜技術(shù)，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應(yīng)力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點(diǎn),。

優(yōu)異熱學(xué)性能

1．高精密紅外測溫校正，微米級(jí)高分辨熱場測量及校準(zhǔn),，確保溫度的準(zhǔn)確性,。

3．超高頻控溫方式,，排除導(dǎo)線和接觸電阻的影響，測量溫度和電學(xué)參數(shù)更精確,。

3．采用高穩(wěn)定性貴金屬加熱絲（非陶瓷材料）,，既是熱導(dǎo)材料又是熱敏材料，其電阻與溫度有良好的線性關(guān)系,，加熱區(qū)覆蓋整個(gè)觀測區(qū)域，升溫降溫速度快,，熱場穩(wěn)定且均勻,，穩(wěn)定狀態(tài)下溫度波動(dòng)≤±0.1℃。

4．采用閉合回路高頻動(dòng)態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式,，高頻反饋控制消除誤差，控溫精度±0.01 ℃,。

5．多級(jí)復(fù)合加熱MEMS芯片設(shè)計(jì),，控制加熱過程熱擴(kuò)散,，極大抑制升溫過程的熱漂移，確保實(shí)驗(yàn)的高效觀察,。

智能化軟件和自動(dòng)化設(shè)備

1．人機(jī)分離，軟件遠(yuǎn)程控制實(shí)驗(yàn)條件,，全程自動(dòng)記錄實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)數(shù)據(jù),，便于總結(jié)與回顧。

2．自定義程序升溫曲線,。可定義10步以上升溫程序,、恒溫時(shí)間等,，同時(shí)可手動(dòng)控制目標(biāo)溫度及時(shí)間，在程序升溫過程中發(fā)現(xiàn)需要變溫及恒溫,，可即時(shí)調(diào)整實(shí)驗(yàn)方案，提升實(shí)驗(yàn)效率,。

3．內(nèi)置絕對(duì)溫標(biāo)校準(zhǔn)程序,，每塊芯片每次控溫都能根據(jù)電阻值變化，重新進(jìn)行曲線擬合和校正，確保測量溫度精確性,，保證加熱實(shí)驗(yàn)的重現(xiàn)性及可靠性。

4．全流程配備精密自動(dòng)化設(shè)備,，協(xié)助人工操作,，提高實(shí)驗(yàn)效率。

團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢

1．團(tuán)隊(duì)帶頭人在原位液相發(fā)展初期即參與研發(fā)并完善該方法,。

2．獨(dú)立設(shè)計(jì)原位芯片，掌握芯片核心工藝,，擁有多項(xiàng)芯片patent,。

3．團(tuán)隊(duì)20余人從事原位液相研究,，可提供多個(gè)研究方向的原位實(shí)驗(yàn)技術(shù)支持。

技術(shù)參數(shù)

應(yīng)用案例

Electrochemical dissolution

Electrochemical deposition