MPE-L2 微流控制備儀MPE
- 公司名稱 蘇州艾特森制藥設(shè)備有限公司
- 品牌 艾特森
- 型號 MPE-L2
- 產(chǎn)地 蘇州
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2024/7/25 15:13:38
- 訪問次數(shù) 1836
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產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥 |
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微流控制備儀MPE-L2,,是蘇州艾特森在大量微納米制劑微流控技術(shù)應(yīng)用的工藝研究和驗證實驗的基礎(chǔ)上,特別開發(fā)的一款可用于科研及早期工藝驗證和技術(shù)開發(fā)的微流控設(shè)備,。MPE-L2以注射泵為動力,,較少樣品即可展開實驗,另外,,MPE-L2的創(chuàng)新設(shè)計,支持在實驗進(jìn)行中多次進(jìn)樣,。
功能應(yīng)用
? 化學(xué)藥品脂質(zhì)體(Liposome)制備,,如多柔·比星脂質(zhì)體、伊立替康脂質(zhì)體等,;
? 生物類脂質(zhì)納米顆粒顆粒(LNP)制備,,如mRNA脂質(zhì)體、siRNA脂質(zhì)體等,;
? 聚合物納米顆粒/微球等制備,,如PLGA微球、PEG-PLGA納米顆粒等,;
? 乳劑(Emulsion)的制備,,如疫苗佐劑、脂肪乳制劑等,;
? 有機(jī)/無機(jī)納米粒,,如金納米等;
? 其他相關(guān)微納米制劑,。
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微流控芯片
微流控芯片是基于應(yīng)用工藝的定制型特殊流道結(jié)構(gòu)部件,,其通道結(jié)構(gòu)和尺寸均與項目工藝需求相結(jié)合,屬定制型結(jié)構(gòu)件,。具體來說可實現(xiàn)以下四種功能:
① 兩相的混合,、乳化,;
② 微粒形成后的孵育;
③ 微粒形成后的粒徑控制,;
④ 二次混合或乳化,。
典型芯片
艾特森微流控芯片基于微流體技術(shù),結(jié)合微納米制劑相關(guān)制備原理,,經(jīng)特別設(shè)計,,精細(xì)加工而成。艾特森獨·有的金屬微流控芯片,,擁有自主知識產(chǎn)權(quán),,滿足各種類型的微納米制劑線性放大和連續(xù)生產(chǎn)的應(yīng)用需求。
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技術(shù)參數(shù)
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微流控制備系統(tǒng)介紹
艾特森微流控制備系統(tǒng)定位于微納米制劑,、復(fù)雜注射劑的科研和產(chǎn)業(yè)化技術(shù)應(yīng)用,, 通過專·利設(shè)計的微流控芯片,,高度集成化,、體系化的硬件系統(tǒng)(輸送泵系統(tǒng)、PAT工 具包等),,以及以工藝應(yīng)用為導(dǎo)向的人性化軟件系統(tǒng),,為Liposome、LNP,、微乳,、微晶、微球等不同藥物載體的科研和產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用提供了成熟,、豐富的解決方案,。基于艾特森微流控技術(shù)的設(shè)備和方案,,已用于多個臨床藥品的開發(fā),。
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微流控技術(shù)介紹
微流控(Microfluidic)技術(shù)是一種基于(微)流體力學(xué)理論,在管線中實現(xiàn)樣品制備與加工的技術(shù),。完·美的將微流體的理化模型與流體力學(xué)理論相結(jié)合,,可實現(xiàn)樣品的混合、乳化及分離純化等功能,。
微流控技術(shù)將過程控制技術(shù)(Process Control Technology,,PCT)與過程分析技術(shù)(Process Analytical Technology,PAT)相結(jié)合,,可實現(xiàn)良好的在線樣品制備技術(shù)(On-line Preparation Technology,,OPT)。樣品在連續(xù)化制備的過程中,工藝過程中參數(shù)完·全可控,,且具備良好重現(xiàn)性,,所以較傳統(tǒng)分步割裂式制備、分批次生產(chǎn)的方法來說更具有可放大性,。
微流控制備儀MPE-L2可實現(xiàn)樣品的初乳化,、復(fù)乳化、粒徑控制功能,。
微流控制備系統(tǒng)通過制備泵和高壓輸送泵與微流控芯片相連接,,A相和B相可按照一定的比例恒速的輸送至芯片中進(jìn)行混合,乳化,。在微流控芯片中通過設(shè)計不同的流道結(jié)構(gòu),,控制不同的速度,使得樣品在微流控芯片中達(dá)到湍流,、層流或霧化狀態(tài),,可以實現(xiàn)樣品的初乳化或復(fù)乳化的要求。
制備好的樣品通過高壓泵輸送至高壓微流控芯片中,,通過撞擊力和剪切力來控制粒徑,,使其達(dá)到所需范圍內(nèi)。粒徑最小可達(dá)到100nm以內(nèi),,PDI至0.1以下,。