透射電鏡三維重構(gòu)樣品桿
- 公司名稱 廈門超新芯科技有限公司
- 品牌 CHIPNOVA
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/2/18 16:57:28
- 訪問次數(shù) 6783
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| 分辨率 | 電鏡極限分辨率 |
|---|
CHIPNOVA Single-tilt Tomography Holders（三維重構(gòu)樣品桿）通過一系列不同傾斜角獲得樣品的二維平面成像信息,，使用軟件處理后可獲得三維立體成像信息,。直接使用3mm銅網(wǎng)樣品進(jìn)行觀察，支持掃描透射模式下的高角環(huán)形暗場成像(HAADF-STEM)高分辨分析,。
我們的優(yōu)勢
創(chuàng)新設(shè)計(jì),，提高實(shí)驗(yàn)效率
1．雙邊緊固銅網(wǎng)方式，漂移率低,，樣品易組裝,。
2．中心對(duì)稱設(shè)計(jì)，避免樣品桿傾斜過程中重心偏移,，提供迅速穩(wěn)定的層析成像,。
優(yōu)異性能，Excellent體驗(yàn)
1．大于±75°的高傾斜角,，保證視野zui da hua,。
2．高強(qiáng)度鈦合金材質(zhì)，高精度加工,，經(jīng)久耐用,。
技術(shù)參數(shù)
| 類別 | 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
| 基本參數(shù) | 桿體材質(zhì) | 高強(qiáng)度鈦合金 |
| 漂移率 | ＜0.5 nm/min（穩(wěn)定狀態(tài)） | |
| 分辨率 | 電鏡極限分辨率 | |
| (HR)TEM/STEM | 支持 | |
| (HR)EDS/EELS/SAED | 支持 |
應(yīng)用案例
電子斷層掃描對(duì)納米尺度地質(zhì)材料的三維分析
參考文獻(xiàn)來源：Three-dimensional Analyses of Geological Materials on Nanoscale by Electron Tomography[J]. Atomic Spectroscopy, 2022.
ET示意圖。不同傾斜角度下的一系列TEM圖像的獲取(a)和從獲得的傾斜系列中重建樣本的3D結(jié)構(gòu)(b),。
(a)使用FIB制備的黃鐵礦柱狀樣品的HAADF-STEM圖和(b)STEM-EDS圖,；以及從-63°到+70°以0.5°間隔獲得的不同傾斜角的3D重建結(jié)果（c-f）。
(a-d)分別是在-44°,、0°,、+44°和+66°處獲取的原始HAADF-STEM傾斜角度圖像；（e-g）是從-44°到+66°以2°間隔獲得重建的3D模型圖,。
獲取EELS譜圖用于3D視圖的元素和氧化態(tài)的重建模型
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